Составители:
Рубрика:
Электромагнитный экран в ближней зоне излучения
цилиндрический расчет по предыдущей формуле, но для электрической
составляющей поля
1
0
)2(
−
εεπ−=
ЭrВ
rfjZ
, а для
магнитной составляющей
ЭrВ
rfjZ
0
2
μ
μ
π−
=
, где rэ
– радиус цилиндрического экрана
сферический
2/1079 ; )2//(1018
79
ЭBHЭBE
frjZfrjZ
−
⋅=⋅−=
,
где r
э – радиус сферы
прямоугольный
(экран-коробка)
ЭBHЭBE
frjZfrjZ
79
10158 ;/1036
−
⋅=⋅−=
, где rэ –
половина расстояния между стенками экрана,
обращенными к источнику помехи. Остальные
параметры рассчитываются так же, как для
экранирования в дальней зоне. В области низких
частот (до
4
10
Гц) для экранирования электрического
поля
EBH
ZZ / >>
BEЭ
ZZ / , тогда
ρ+= /5,01lg20 dZЭ
BEE
;
а для экранирования магнитного поля из магнитных
металлов и сплавов
)2/(1lg20
r ЭH
rdЭ μ+=
,
а из немагнитных материалов
2/1lg20
2
drkЭ
ЭH
+=
6
1
2
2
3
)(
024,0
)(0
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
λ
π
−
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
−
π
λ
ρ
δ
=
×
m
m
ma
m
d
e
э
R
HE
Z
HE
Э
, (65)
где δ - глубина проникновения, м; ρ - удельное сопротивление
материала экрана, Ом⋅м; Z
E(H)
- волновое сопротивление
электрического (магнитного) поля; R
э
- эквивалентный радиус экрана,
м; а - расстояние между центрами отверстий и щелей в экране,
возникших из-за несовершенства его конструкции и технологии
изготовления, м; m - наибольший размер отверстия (щели) в экране,
м; d - толщина материала экрана, м. Очевидно, что m>0, а и т
являются случайными величинами.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 153
- 154
- 155
- 156
- 157
- …
- следующая ›
- последняя »
