Составители:
Рубрика:
где
x
J
и
0
J
- плотность тока на глубине x и на поверхности
соответ-ственно;
δ
- показатель уменьшения поля и тока, который
называют эквивалентной глубиной проникновения, м,
. 0,030,52
2
rr
f μ
λρ
=
μ
ρ
=
ωμσ
=δ
(8)
Здесь σ - удельная проводимость материала экрана, См/м; м =
0
μ
r
μ
-
магнитная проницаемость материала;
0
μ
=1,2566⋅
6
10
−
- магнитная
проницаемость вакуума, Г×м-
1
;
r
μ
- относительная магнитная
проницаемость материала; ω=2πf - угловая частота; λ - длина волны
в воздухе, м.
Величиной эквивалентной глубины проникновения удобно
характеризовать экранирующий эффект вихревых токов. Чем меньше
δ, тем больший ток течет в поверхностных слоях экрана, тем больше
создаваемое им обратное магнитное поле, вытесняющее из
пространства, занятого экраном, внешнее поле источника наводки.
Если экран сделан из немагнитного материала, то в выражении
(8) м=
0
μ
и экранирующий эффект зависит только от удельной
проводимости материала и частоты экранируемого поля.
Если экран сделан из ферромагнитного материала, то при
прочих равных условиях внешним полем в нем будет наводиться
большая ЭДС благодаря большей концентрации магнитных силовых
линий. При одинаковой удельной проводимости материала
увеличатся вихревые токи, что приведет к меньшей глубине
проникновения и к лучшему экранирующему эффекту. Этим
объясняется наличие в знаменателе выражения (8) величины
магнитной проницаемости μ. В результате экранирующее действие
вытеснением магнитного поля, даваемое любым металлом магнитным
и немагнитным, характеризуется произведением μσ.
Из выражения (7) после подстановки в него значения х = δ
следует, что на глубине δ плотность тока и
напряженность
магнитного поля падает в е раз, т. е. до величины 1/2,72 ,
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 34
- 35
- 36
- 37
- 38
- …
- следующая ›
- последняя »
