Основы проектирования РЭС. Электромагнитная совместимость и конструирование экранов. Винников В.В. - 39 стр.

UptoLike

Составители: 

На высоких частотах, при относительно толстом материале
экрана d > δ действуют оба фактора и эффективность экранирования
можно определить по приближенному уравнению [9]
. )
8,22
1
(
/
δμ
+
δ
r
d
m
D
eЭ
(11)
В последних двух уравнениях d - толщина стенок экрана; D - ширина
коробки прямоугольного экрана или диаметр цилиндрического и
сферического экрана; т - коэффициент формы экрана, для прямоугольного
m=l, для цилиндрического m=2, для сферического m=3.
На частотах 0,1 ... 1 кГц экранирование
вихревыми токами почти
не действует и получить ослабление магнитного поля можно только
шунтированием его ферромагнитным материалом с большой
r
μ
. С
по-вышением частоты увеличивается поверхностный эффект,
вытесняющий магнитное поле из толщи ферромагнитного материала,
уменьшается действующая толщина экрана и эффективность
экранирования шунтированием поля падает, а вытеснением поля
растет.
Получение большой эффективности экранирования магнитного
поля в диапазоне частот 0,1 ... 1 кГц является труднейшей задачей. К
конструированию экранов, действующих в этом диапазоне,
прибегают в исключительных случаях, когда исчерпаны все другие
способы ослабления паразитной индуктивной связи, включая отказ от
применения трансформаторов и дросселей или перемещение их в
удаленные блоки. Изредка пользуются многослойными экранами из
различных материалов [9].
На частотах выше 10 кГц всегда можно подобрать материал и
его толщину так, чтобы получить d > δ. Это позволяет пользоваться
формулой (11), состоящей из произведения двух членов, из которых
первый зависит только от отношения d / δ, а второй всегда больше
единицы. Пренебрегая увеличением эффективности экранирования,
даваемым вторым членом, получим выражение для минимальной
эффективности