Основы проектирования РЭС. Электромагнитная совместимость и конструирование экранов. Винников В.В. - 62 стр.

UptoLike

Составители: 

SR
PR
м
В
E
)
0
1(
0
110
. (35)
Если размеры экрана значительно превышают длину волны, то
это приводит к неравномерному распределению поля внутри него. В
отдельных местах внутреннего пространства, особенно в углах, может
наблюдаться значительная концентрация поля, в то время как в
других частях экрана поле будет ослаблено. Щели, отверстия в экране
приводят к дополнительному уменьшению запасенной энергии.
Поэтому в общем случае формула (35) является приближенной.
Кроме того, определяемая выражением (35) напряженность поля
характеризует только одну часть общего поля в замкнутом экране -
диффузное поле, под которым понимается поле, возникшее в
установившемся режиме после многократных отражений внутри
резонатора. Вторым слагаемым является поле прямой волны. Таким
образом, общая электромагнитная энергия
W
об
= W
отр
+ W
пр
.
На частотах выше 100 МГц обычно рассматривается плотность
потока мощности. В диффузном поле плотность потока мощности
0
1
0
4
R
R
S
P
отр
П
=
,
а плотность потока мощности падающей волны П
пр
= РG / 4πr
2
.
Общая плотность потока мощности в резонаторе
,
0
1
0
4
2
4
R
R
S
P
rр
PG
пр
П
отр
П
об
П
+=+=
(36)
где Р - средняя мощность излучения;
0
R
- коэффициент отражения; G
-коэффициент усиления антенны (излучателя) в данном направлении;
r -расстояние до источника (излучателя).
Как видно из (36), плотность потока мощности в падающей
волне является функцией расстояния до источника и его
направленности как излучателя, а эквивалентная плотность потока
мощности отражения распределена почти равномерно по всему
объему. При отсутствии поглощающего материала внутри экрана