Составители:
Рубрика:
сопровождаетcя резким возрастанием амплитуды поля и при
использовании электрически тонкого материала для экрана
наблюдается интенсивный спад его эффективности.
Наинизшую резонансную частоту экрана (в МГц) удобно вы-
числять не в зависимости от размеров сторон экрана, а в функции
наиболее общего его параметра R
э
по приближенной формуле
f
рез
≈ 138 / R
э
, (42)
где R
э
- эквивалентный радиус экрана, м.
Добротность резонатора для колебаний типа TE
110
может быть
определена из (32):
/h)/b/lд(
,
Sд
экр
V
TE
Q
111
50
110
++
≈
∑
≈
. (43)
Например, для экрана изготовленного из стали, стороны
которого равны l=3 м, b=2 м и h=1 м, при работе его на частоте f=30
МГц и δ=3⋅10
-6
м имеем
5
103
1
2
1
3
1
3
6
105,0
111
5,0
110
⋅=
++
⋅
=
++
≈
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
hbl
TE
Q
δ
.
Реальная добротность из-за наличия отверстий и щелей будет на
один - два порядка ниже расчетной.
Резонансные частоты реальных экранов не всегда соответствуют
расчетным, так как из-за наличия в экране каких-либо предметов
частота его резонанса сдвигается. Обычно у распространенных на
практике экранов РЭС резонансные частоты лежат выше 30 ... 1000
МГц. С увеличением размеров экрана резонанс сдвигается в сторону
более низких частот, как это видно из (42).
При резонансе напряженность поля внутри замкнутого экрана
возрастает в Q раз, а следовательно, эффективность экранирования
уменьшается в Q раз относительно результирующей эффективности,
учитывающей поглощение и отражение электромагнитных волн. Для
электрически тонких материалов, эффект экранирования которых
про-является
только в результате отражения, эффективность экрана
при резонансе становится весьма незначительной. Это явление в
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 65
- 66
- 67
- 68
- 69
- …
- следующая ›
- последняя »
