Основы проектирования РЭС. Электромагнитная совместимость и конструирование экранов. Винников В.В. - 73 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

(Ом), магнитное - низким. В [9] показано, что если при нормальном
падении волны принять:
для электрического вибратора
EEE
HEZ /
=
,
для магнитного
HHH
HEZ /
=
,
где
E
E
,
H
E
,
E
H
,
H
H
- комплексные амплитуды соответственно
электрической и магнитной составляющих поля; Z
E
- полное
сопротивление среды электрической составляющей волны, которое для
простоты называют электрическим волновым сопротивлением; Z
H
-
магнитное волновое сопротивление, то значения модулей указанных
сопротивлений для ближней и дальней зон определятся из выражений
()
()
()
2
1
6
2
1
0
r
r
r
Z
Z
E
β
+β
β+
=
;
()
()
()
6
1
2
2
1
0
r
r
rZZ
H
β+
β
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
β+=
, (45)
где β = 2 π / λ.
На рис. 28 представлены функции Z
H
= Z
H
( 2π r / λ) и
Z
E
= Z
E
(2π r / λ), соответствующие формулам (45). В предельном
случае при β
r << 1 , наиболее характерном для ближней зоны, Z
E
≈ Z
0
/
βr, Z
H
≈
≈
Z
0
βr, Z
E
>> Z
H
.
В другом предельном случае при β
r >> 1, наиболее характерном
для дальней зоны, Z
E
≈ Z
H
≈ Z
0
= 377 Ом. Это есть случай образования
в дальней зоне волны с одинаковыми значениями электрической и
магнитной составляющих, образующих единый электромагнитный
процесс. При промежуточных значениях βr происходит приближение
Z
E
и Z
H
к Z
0
. При βr ≈ 0,71 имеем Z
E
≈ Z
H
, что соответствует
явлениям, характерным для дальней зоны. При дальнейшем
увеличении βr имеем Z
H
> Z
E
.
Однако это неравенство при
последующем росте βr ослабевает и практически при r > Зλ

Страницы