Основы проектирования РЭС. Электромагнитная совместимость и конструирование экранов. Винников В.В. - 84 стр.

UptoLike

Составители: 

При необходимости оценить общую ЭЭ исходя из допустимой
величины ЭДС помехи, наводимой в цепях РЭС, пользуются
эквивалентной высотой устройства
h
0
= U
H
/ E
1
, (48)
где U
н
- действующее значение ЭДС помехи, наводимой на элементы,
находящиеся внутри экрана, м;
E
1
- действующее значение
напряженности внешнего поля, В/м. Величина h
0
характеризует как бы
действующую высоту экрана (по аналогии с действующей высотой
антенны).
Учитывая, что ЭДС помехи пропорциональна напряженности
поля внутри экрана, находим
h
0
= α E
2
/ E
1
=α/ Э
0E
. (49)
Второй характеристикой качества экрана является мера его
воздействия на параметры экранируемых элементов, определяемая
количественно коэффициентами реакции экрана. При всех видах
экранирования, за исключением статического, из-за отражения
электромагнитной энергии от стенок экрана происходит
взаимодействие между экраном и экранируемым устройством. Экран,
защищая цепи, детали, колебательные контуры от воздействия
внешних полей, оказывает существенное влияние на параметры
экранируемых элементов. Из-за перераспределения электромагнитного
поля внутри экрана происходят изменения первичных параметров
элементов. В результате, например, изменяются магнитные связи,
уменьшается первичная индуктивность катушек, увеличивается
емкость контуров, возрастает активное сопротивление, а далее это
ведет к изменению частоты настройки и добротности колебательных
контуров, потерям энергии и т. д. Относительные изменения
параметров экранируемых элементов можно учесть с помощью
коэффициентов
P
ij
= 1 - A
Эij
/ A
0ij
,
где A
Эij
- значение i-гo параметра j-го экранируемого элемента при
наличии экрана; A
0ij
- значение первичного i-гo параметра j-го