ВУЗ:
Составители:
102
Рис. 1.33. Подключение кварцевого резонатора к МК
1.19. Подключение внешней памяти
к микроконвертору
Помимо имеющейся на кристалле памяти программ и данных к МК мож-
но подключать внешнюю память программ объемом до 64 кбайт и внешнюю
память данных объемом до 16 Мбайт. Внешняя память программ может быть
типа EPROM, EEPROM, FLASH и т. п., а внешняя память данных – типа SRAM
(СОЗУ). Для функционирования в режиме с встроенной памятью программ на
вывод EA/ МК следует подать напряжение высокого уровня, а для функциони-
рования в режиме с внешней памятью программ – низкого. Когда на вывод ЕА/
подан высокий уровень, выполнение целевой программы после сброса начина-
ется с адреса 0 адресного пространства размером 8 191 байт встроенной
Flash/EE-памяти программ. Когда на вывод ЕА/ подан низкий уровень, выпол-
нение целевой программы начинается с адреса 0 адресного пространства внеш-
ней памяти программ. Очевидно, что обращение к адресам больше 1FFFh
(8191) возможно только при функционировании МК в режиме с внешней памя-
тью программ.
Внешняя память программ, если она имеется, должна подключаться к МК
так, как показано на рис. 1.34. Шестнадцать линий ввода-вывода портов 0 и 2 в
этом случае используются в качестве смешанной шины данных и адресов при
обращении к внешней памяти программ. Линии порта 0 образуют 8-разрядную
двунаправленную мультиплексированную шину данных и адресов, которая яв-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 100
- 101
- 102
- 103
- 104
- …
- следующая ›
- последняя »
