Исследование экранирующих характеристик оболочек и экранов кабелей связи. Воронков А.А. - 8 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУТИ | Самара

Составители: 

Рубрика: 

8
В электрически тонких экранах затухание поглощения мало, электрически толстые
экраны являются практически непрозрачными.
Эффект экранирования отражением зависит в основном от соотношения величин
волновых сопротивлений металла и диэлектрика. Волновое сопротивление
диэлектрика для электрической и магнитной волны различно, определяется оно
через цилиндрические функции
и их производные по довольно сложным и
громоздким выражениям. Однако в диапазоне частот до 10
9
Гц для основной волны
(n =1
) волновые сопротивления можно определить по упрощенной формуле:
;
1
эа
E
д
ri
Z
ωε
=
эа
H
д
riZ ωµ=
;
σωµ=
/
ам
iZ
.
где
:
r
э
– внутренний радиус экрана.
Графики частотной зависимости волновых сопротивлений диэлектрика и металла
в электромагнитном режиме представлены на рис.2.
Волновое сопротивление диэлектрика для электрической волны больше, чем для
магнитной, поэтому эффективность экранирования электрического поля выше, чем
магнитного за счёт составляющей экранирования отражением. Поэтому обычно
исследуют экраны по составляющей магнитного поля.
Эффективность применения экранов из магнитных и немагнитных материалов
зависит от диапазона частот, в котором используется экран. На рис.3 показана
частотная зависимость затухания экранирования магнитных и немагнитных экранов,
рассчитываемая по формуле:
А
Э
=20lg 1/S , дБ.
Составляющая экранирования поглощением у магнитного экрана всегда выше,
чем у немагнитного из-за преобладания вихревых токов в магнитном экране.
Эффект отражения выше у немагнитных экранов, так как различие волновых
сопротивлений между металлом и диэлектриком больше у немагнитных экранов, 
  В электрически тонких экранах затухание поглощения мало, электрически толстые
экраны являются практически непрозрачными.
  Эффект экранирования отражением зависит в основном от соотношения величин
волновых сопротивлений металла и диэлектрика. Волновое сопротивление
диэлектрика для электрической и магнитной волны различно, определяется оно
через цилиндрические функции и их производные по довольно сложным и
громоздким выражениям. Однако в диапазоне частот до 109 Гц для основной волны
(n =1) волновые сопротивления можно определить по упрощенной формуле:
                        1
               Z дE =          ; Z дH = iωµ а rэ ; Z м = iωµ а / σ .
                      iωε а rэ
  где: rэ – внутренний радиус экрана.
   Графики частотной зависимости волновых сопротивлений диэлектрика и металла
в электромагнитном режиме представлены на рис.2.
   Волновое сопротивление диэлектрика для электрической волны больше, чем для
магнитной, поэтому эффективность экранирования электрического поля выше, чем
магнитного за счёт составляющей экранирования отражением. Поэтому обычно
исследуют экраны по составляющей магнитного поля.
   Эффективность применения экранов из магнитных и немагнитных материалов
зависит от диапазона частот, в котором используется экран. На рис.3 показана
частотная зависимость затухания экранирования магнитных и немагнитных экранов,
рассчитываемая по формуле:
                                   АЭ=20lg 1/S , дБ.




    Составляющая экранирования поглощением у магнитного экрана всегда выше,
чем у немагнитного из-за преобладания вихревых токов в магнитном экране.
Эффект отражения выше у немагнитных экранов, так как различие волновых
сопротивлений между металлом и диэлектриком больше у немагнитных экранов,



                                      8

Страницы