Основы физики и химии полупроводников - 19 стр.

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ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

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ɨɛɨɫɨɛɥɟɧɧɵɟ ɡɨɧɵ (N ɷɧɟɪɝɟɬɢɱɟɫɤɢɯ ɭɪɨɜɧɟɣ ɜ 2s-ɡɨɧɟ ɢ 3N ɭɪɨɜɧɟɣ ɜ
2ɪ-ɡɨɧɟ), ɧɨ ɩɪɢ ɪɚɫɫɬɨɹɧɢɹɯ ɦɟɠɞɭ ɚɬɨɦɚɦɢ d (d
1
< d < d
2
) ɡɨɧɵ ɫɥɢɜɚɸɬɫɹ
ɜ ɟɞɢɧɭɸ ɡɨɧɭ ɫ 4N ɭɪɨɜɧɹɦɢ, ɧɚ ɤɨɬɨɪɵɯ ɦɨɝɭɬ ɪɚɡɦɟɫɬɢɬɶɫɹ 8N
ɷɥɟɤɬɪɨɧɨɜ. ɉɪɢ ɞɚɥɶɧɟɣɲɟɦ ɫɛɥɢɠɟɧɢɢ ɚɬɨɦɨɜ ɭɝɥɟɪɨɞɚ (d < d
1
) ɟɞɢɧɚɹ
ɷɧɟɪɝɟɬɢɱɟɫɤɚɹ ɡɨɧɚ ɪɚɫɳɟɩɥɹɟɬɫɹ ɩɚ ɞɜɟ ɡɨɧɵ, ɜ ɤɚɠɞɨɣ ɢɡ ɤɨɬɨɪɵɯ
ɢɦɟɟɬɫɹ ɩɨ 2N ɭɪɨɜɧɟɣ.
Ɋɢɫ. 11. ɗɧɟɪɝɟɬɢɱɟɫɤɢɟ ɡɨɧɵ ɜ ɤɪɢɫɬɚɥɥɟ ɚɥɦɚɡɚ
ȼɫɟ ɱɟɬɵɪɟ ɜɚɥɟɧɬɧɵɯ ɷɥɟɤɬɪɨɧɚ ɚɬɨɦɚ ɭɝɥɟɪɨɞɚ ɪɚɫɩɨɥɚɝɚɸɬɫɹ ɩɪɢ
ɷɬɨɦ ɜ ɧɢɠɧɟɣ ɡɨɧɟ, ɰɟɥɢɤɨɦ ɡɚɩɨɥɧɹɹ ɟɟ, ɚ ɜɟɪɯɧɹɹ ɡɨɧɚ ɨɫɬɚɟɬɫɹ
ɫɜɨɛɨɞɧɨɣ. ɗɬɢ ɡɨɧɵ ɪɚɡɞɟɥɟɧɵ ɡɚɩɪɟɳɟɧɧɨɣ ɡɨɧɨɣ, ɲɢɪɢɧɚ ɤɨɬɨɪɨɣ ǻȿ ɜ
ɤɪɢɫɬɚɥɥɟ ɚɥɦɚɡɚ ɪɚɜɧɚ 5,6 ɷɜ. Ⱥɥɦɚɡ ɹɜɥɹɟɬɫɹ ɯɨɪɨɲɢɦ ɢɡɨɥɹɬɨɪɨɦ.
ɍɫɥɨɜɧɨ ɩɪɢɧɹɬɨ ɫɱɢɬɚɬɶ ɩɨɥɭɩɪɨɜɨɞɧɢɤɚɦɢ ɜɟɳɟɫɬɜɚ, ɲɢɪɢɧɚ
ɡɚɩɪɟɳɟɧɧɨɣ ɡɨɧɵ ɜ ɤɨɬɨɪɵɯ ɦɟɧɟɟ ɬɪɟɯ ɷɥɟɤɬɪɨɧɜɨɥɶɬ. ɂɡɨɥɹɬɨɪɚɦɢ
ɫɱɢɬɚɸɬ ɜɟɳɟɫɬɜɚ ɫ ɲɢɪɢɧɨɣ ɡɚɩɪɟɳɟɧɧɨɣ ɡɨɧɵ ɛɨɥɟɟ ɬɪɟɯ ɷɥɟɤɬɪɨɧɜɨɥɶɬ.
Ⱥɧɚɥɨɝɢɱɧɚɹ ɤɚɪɬɢɧɚ ɨɛɪɚɡɨɜɚɧɢɹ ɷɧɟɪɝɟɬɢɱɟɫɤɢɯ ɡɨɧ ɧɚɛɥɸɞɚɟɬɫɹ ɜ
ɤɪɢɫɬɚɥɥɚɯ ɞɪɭɝɢɯ ɷɥɟɦɟɧɬɨɜ IV ɝɪɭɩɩɵ ɩɟɪɢɨɞɢɱɟɫɤɨɣ ɫɢɫɬɟɦɵ
ɷɥɟɦɟɧɬɨɜ: ɤɪɟɦɧɢɹ, ɝɟɪɦɚɧɢɹ, ɨɥɨɜɚ (ɫɟɪɨɝɨ). ɒɢɪɢɧɚ ɡɚɩɪɟɳɟɧɧɨɣ ɡɨɧɵ:
ɭ ɤɪɟɦɧɢɹ – 1,1 ɷɜ, ɭ ɝɟɪɦɚɧɢɹ – 0,7 ɷɜ, ɭ ɫɟɪɨɝɨ ɨɥɨɜɚ – 0,1 ɷɜ. ɗɬɢ
ɷɥɟɦɟɧɬɵ ɹɜɥɹɸɬɫɹ ɬɢɩɢɱɧɵɦɢ ɩɨɥɭɩɪɨɜɨɞɧɢɤɚɦɢ.
ȼ ɤɚɱɟɫɬɜɟ ɩɪɢɦɟɪɚ ɨɛɪɚɡɨɜɚɧɢɹ ɢ ɡɚɩɨɥɧɟɧɢɹ ɷɧɟɪɝɟɬɢɱɟɫɤɢɯ ɡɨɧ
ɢɨɧɧɨɝɨ ɤɪɢɫɬɚɥɥɚ ɪɚɫɫɦɨɬɪɢɦ ɤɪɢɫɬɚɥɥ ɩɨɜɚɪɟɧɧɨɣ ɫɨɥɢ (NaCl).
ɗɧɟɪɝɟɬɢɱɟɫɤɢɟ ɡɨɧɵ ɜ ɷɬɨɦ ɤɪɢɫɬɚɥɥɟ ɨɛɪɚɡɭɸɬɫɹ ɜ ɪɟɡɭɥɶɬɚɬɟ ɪɚɫɲɢɪɟɧɢɹ
ɢ ɪɚɫɳɟɩɥɟɧɢɹ ɷɧɟɪɝɟɬɢɱɟɫɤɢɯ ɭɪɨɜɧɟɣ ɢɨɧɨɜ Na
+
ɢɋl
–
, ɤɨɬɨɪɵɟ ɢɦɟɸɬ
ɡɚɩɨɥɧɟɧɧɵɟ ɷɥɟɤɬɪɨɧɧɵɟ ɨɛɨɥɨɱɤɢ ɬɢɩɚ ɨɛɨɥɨɱɟɤ ɚɬɨɦɨɜ ɢɧɟɪɬɧɵɯ ɝɚɡɨɜ
(ɜɢɨɧɟ Na
+
ɩɨɞɨɛɧɨ ɚɬɨɦɭ Ne, ɜ ɢɨɧɟ Cl
–
ɩɨɞɨɛɧɨ ɚɬɨɦɭ Ⱥr).
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