Основы физики и химии полупроводников - 49 стр.

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ȿɫɥɢ ɧɚ ɫɟɬɤɭ ɞɟɬɟɤɬɨɪɚ ɩɨɞɚɬɶ ɩɨɥɨɠɢɬɟɥɶɧɵɣ ɩɨɬɟɧɰɢɚɥ (+250 ȼ),
ɬɨ ɜɬɨɪɢɱɧɵɟ ɷɥɟɤɬɪɨɧɵ ɛɭɞɭɬ ɫɨɛɪɚɧɵ ɩɪɚɤɬɢɱɟɫɤɢ ɫɨ ɜɫɟɝɨ ɨɛɪɚɡɰɚ, ɱɬɨ
ɫɦɹɝɱɢɬ ɤɨɧɬɪɚɫɬ ɢɡɨɛɪɚɠɟɧɢɹ (ɪɢɫ. 29, ɛ). ɉɪɢ ɭɫɢɥɟɧɢɢ ɩɨɥɨɠɢɬɟɥɶɧɨɝɨ
ɩɨɬɟɧɰɢɚɥɚ ɢ ɧɚ ɫɟɬɤɟ ɜɤɥɚɞ Ɉɗ ɫɬɚɧɨɜɢɬɫɹ ɧɟɜɟɥɢɤ, ɢ ɦɨɠɧɨ ɩɨɥɭɱɢɬɶ ɬɚɤ
ɧɚɡɵɜɚɟɦɨɟ ɛɟɫɬɟɧɟɜɨɟ ɢɡɨɛɪɚɠɟɧɢɟ ɨɛɴɟɤɬɚ.
ɑɢɫɥɨ ɨɬɪɚɠɟɧɧɵɯ ɷɥɟɤɬɪɨɧɨɜ ɡɚɜɢɫɢɬ ɨɬ ɚɬɨɦɧɨɝɨ ɧɨɦɟɪɚ ɷɥɟɦɟɧɬɨɜ
ɜɟɳɟɫɬɜɚ (ɩɪɢ ɢɡɦɟɧɟɧɢɢ ɚɬɨɦɧɨɝɨ ɧɨɦɟɪɚ ɧɚ 1 ɨɬɪɚɠɚɬɟɥɶɧɚɹ
ɫɩɨɫɨɛɧɨɫɬɶ ɜɟɳɟɫɬɜɚ ɢɡɦɟɧɹɟɬɫɹ ɩɪɢɦɟɪɧɨ ɧɚ 1 %). ɉɨɷɬɨɦɭ ɦɨɠɧɨ
ɩɨɥɭɱɢɬɶ ɤɨɧɬɪɚɫɬ ɜ ɢɡɨɛɪɚɠɟɧɢɢ ɩɨ ɯɢɦɢɱɟɫɤɨɦɭ ɫɨɫɬɚɜɭ ɫɥɨɠɧɨɝɨ
ɨɛɴɟɤɬɚ ɩɪɢ ɩɥɨɫɤɨɣ (ɩɨɥɢɪɨɜɚɧɧɨɣ) ɩɨɜɟɪɯɧɨɫɬɢ ɲɥɢɮɚ ɢ ɩɪɢ
ɨɬɫɭɬɫɬɜɢɢ ɩɨɬɟɧɰɢɚɥɚ ɧɚ ɫɟɬɤɟ ɤɨɥɥɟɤɬɨɪɚ.
Ɋɚɫɩɪɟɞɟɥɟɧɢɟ ɹɪɤɨɫɬɢ ɜ ɢɡɨɛɪɚɠɟɧɢɢ Ɉɗ ɞɥɹ ɩɨɥɢɪɨɜɚɧɧɨɝɨ
ɨɞɧɨɮɚɡɧɨɝɨ ɢ ɝɟɬɟɪɨɮɚɡɧɨɝɨ (ɯɢɦɢɱɟɫɤɢ ɧɟɨɞɧɨɪɨɞɧɨɝɨ) ɨɛɴɟɤɬɨɜ
ɫɯɟɦɚɬɢɱɟɫɤɢ ɩɪɟɞɫɬɚɜɥɟɧɨ ɧɚ ɪɢɫ. 30.
Ɋɢɫ. 30. Ɏɨɪɦɢɪɨɜɚɧɢɟ ɤɨɧɬɪɚɫɬɚ ɜ ɭɩɪɭɝɨ ɪɚɫɫɟɹɧɧɵɯ ɷɥɟɤɬɪɨɧɚɯ:
ɚɧɚ ɩɨɥɢɪɨɜɚɧɧɨɦ ɝɟɬɟɪɨɮɚɡɧɨɦ ɨɛɪɚɡɰɟ; ɛɧɚ ɨɞɧɨɪɨɞɧɨɦ ɨɛɪɚɡɰɟ
ɫ ɪɟɥɶɟɮɧɨɣ ɩɨɜɟɪɯɧɨɫɬɶɸ. K
1
ɢɄ
2
ɤɨɥɥɟɤɬɨɪɵ ɷɥɟɤɬɪɨɧɨɜ. Z
1
ɢ Z
2
ɫɪɟɞɧɢɟ
ɚɬɨɦɧɵɟ ɧɨɦɟɪɚ ɷɥɟɦɟɧɬɨɜ ɮɚɡ
Ⱦɥɹ ɩɨɥɢɪɨɜɚɧɧɨɝɨ ɝɟɬɟɪɨɮɚɡɧɨɝɨ ɨɛɪɚɡɰɚ (ɪɢɫ. 30, ɚ) ɤɨɧɬɪɚɫɬ
ɜɨɡɧɢɤɚɟɬ ɢɡ-ɡɚ ɪɚɡɥɢɱɧɨɣ ɨɬɪɚɠɚɬɟɥɶɧɨɣ ɫɩɨɫɨɛɧɨɫɬɢ ɮɚɡɵ 1 ɢ ɮɚɡɵ 2.
ɉɨɫɤɨɥɶɤɭ ɮɚɡɚ 2 ɫɨɞɟɪɠɢɬ ɛɨɥɟɟ ɬɹɠɟɥɵɟ ɷɥɟɦɟɧɬɵ, ɬɨ ɟɟ ɨɬɪɚɠɚɬɟɥɶɧɚɹ
ɫɩɨɫɨɛɧɨɫɬɶ ɛɨɥɶɲɟ, ɫɥɟɞɨɜɚɬɟɥɶɧɨ, ɨɛɚ ɤɨɥɥɟɤɬɨɪɚ ɩɪɢ ɩɪɨɯɨɠɞɟɧɢɢ
ɥɭɱɚ ɱɟɪɟɡ ɷɬɭ ɮɚɡɭ ɞɚɸɬ ɛɨɥɟɟ ɜɵɫɨɤɢɣ ɭɪɨɜɟɧɶ ɫɢɝɧɚɥɚ (ɭɱɚɫɬɨɤ ɧɚ
ɢɡɨɛɪɚɠɟɧɢɢ ɜɬɨɪɨɣ ɮɚɡɵ ɜɵɝɥɹɞɢɬ ɛɨɥɟɟ ɹɪɤɢɦ). ȼɵɱɢɬɚɧɢɟ ɫɢɝɧɚɥɨɜ ɨɬ
ɤɨɥɥɟɤɬɨɪɨɜ ɞɚɟɬ ɛɟɡɤɨɧɬɪɚɫɬɧɨɟ ɢɡɨɛɪɚɠɟɧɢɟ, ɱɬɨ ɫɨɨɬɜɟɬɫɬɜɭɟɬ ɝɥɚɞɤɨɣ
ɩɨɜɟɪɯɧɨɫɬɢ ɨɛɪɚɡɰɚ.
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