Основы физики и химии полупроводников - 5 стр.

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ВГУ | Воронеж

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ȼ ɤɚɱɟɫɬɜɟ ɩɪɢɦɟɪɚ ɢɨɧɧɵɯ
ɤɪɢɫɬɚɥɥɨɜ ɦɨɠɧɨ ɩɪɢɜɟɫɬɢ ɯɥɨɪɢɞ
ɧɚɬɪɢɹ. ȼ ɷɬɨɣ ɫɬɪɭɤɬɭɪɟ ɤɚɠɞɵɣ ɢɨɧ
ɧɚɬɪɢɹ ɨɤɪɭɠɟɧ ɲɟɫɬɶɸ ɢɨɧɚɦɢ ɯɥɨɪɚ,
ɢ ɤɚɠɞɵɣ ɢɨɧ ɯɥɨɪɚ – ɲɟɫɬɶɸ ɢɨɧɚɦɢ
ɧɚɬɪɢɹ. Ʉɨɨɪɞɢɧɚɰɢɨɧɧɨɟ ɱɢɫɥɨ ɢ
ɢɨɧɨɜ ɧɚɬɪɢɹ, ɢ ɢɨɧɨɜ ɯɥɨɪɚ ɜ ɷɬɨɣ
ɪɟɲɟɬɤɟ ɪɚɜɧɨ 6. ȼ ɪɟɲɟɬɤɟ ɬɢɩɚ Naɋl
ɤɪɢɫɬɚɥɥɢɡɭɟɬɫɹ ɛɨɥɶɲɨɟ ɱɢɫɥɨ
ɫɨɟɞɢɧɟɧɢɣ.
Ʉɨɜɚɥɟɧɬɧɵɟ ɤɪɢɫɬɚɥɥɵ
(ɚɬɨɦɧɵɟ). ȼ ɭɡɥɚɯ ɤɪɢɫɬɚɥɥɢɱɟɫɤɨɣ
ɪɟɲɟɬɤɢ ɬɚɤɢɯ ɤɪɢɫɬɚɥɥɨɜ ɧɚɯɨɞɹɬɫɹ
ɚɬɨɦɵ, ɫɜɹɡɚɧɧɵɟ ɤɨɜɚɥɟɧɬɧɵɦɢ
ɫɜɹɡɹɦɢ. Ɍɚɤɢɟ ɪɟɲɟɬɤɢ ɧɚɡɵɜɚɸɬ
ɚɬɨɦɧɵɦɢ, ɜ ɨɬɥɢɱɢɟ ɨɬ ɦɨɥɟɤɭɥɹɪɧɵɯ
ɤɪɢɫɬɚɥɥɢɱɟɫɤɢɯ ɪɟɲɟɬɨɤ, ɜ ɤɨɬɨɪɵɯ (ɧɚɩɪɢɦɟɪ, Cl
2
, H
2
) ɚɬɨɦɵ ɫɜɹɡɚɧɵ
ɤɨɜɚɥɟɧɬɧɵɦɢ ɫɜɹɡɹɦɢ ɜɧɭɬɪɢ ɦɨɥɟɤɭɥɵ, ɧɨ ɦɟɠɞɭ ɦɨɥɟɤɭɥɚɦɢ ɨɛɪɚɡɭɸɬɫɹ
ɫɥɚɛɵɟ ɜɚɧ-ɞɟɪ-ɜɚɚɥɶɫɨɜɵ ɫɜɹɡɢ. Ɍɚɤɢɟ ɤɪɢɫɬɚɥɥɵ ɛɭɞɭɬ ɪɚɫɫɦɨɬɪɟɧɵ ɧɢɠɟ.
Ɋɢɫ. 1. Ʉɪɢɫɬɚɥɥɢɱɟɫɤɚɹ
ɫɬɪɭɤɬɭɪɚ ɯɥɨɪɢɞɚ ɧɚɬɪɢɹ
Ʉɨɜɚɥɟɧɬɧɚɹ ɫɜɹɡɶ ɨɛɪɚɡɭɟɬɫɹ ɡɚ ɫɱɟɬ ɜɨɡɧɢɤɧɨɜɟɧɢɹ ɨɛɳɟɣ ɷɥɟɤɬɪɨɧɧɨɣ
ɩɚɪɵ. ɗɬɚ ɫɜɹɡɶ ɹɜɥɹɟɬɫɹ ɜɟɫɶɦɚ ɩɪɨɱɧɨɣ, ɩɨ ɷɧɟɪɝɢɢ ɫɜɹɡɢ ɨɧɚ ɫɨɩɨɫɬɚɜɢɦɚ ɫ
ɢɨɧɧɨɣ. Ⱦɥɹ ɤɨɜɚɥɟɧɬɧɵɯ ɤɪɢɫɬɚɥɥɨɜ ɯɚɪɚɤɬɟɪɧɚ ɜɵɫɨɤɚɹ ɩɪɨɱɧɨɫɬɶ ɢ
ɜɵɫɨɤɚɹ ɬɟɦɩɟɪɚɬɭɪɚ ɩɥɚɜɥɟɧɢɹ (ɧɚɩɪɢɦɟɪ, ɚɥɦɚɡ, ɤɪɟɦɧɢɣ, ɛɨɪ).
ɑɟɬɤɨɣ ɝɪɚɧɢ ɦɟɠɞɭ ɩɨɥɹɪɧɨɣ ɤɨɜɚɥɟɧɬɧɨɣ ɢ ɢɨɧɧɨɣ ɫɜɹɡɶɸ ɧɟ
ɫɭɳɟɫɬɜɭɟɬ. ɉɨɷɬɨɦɭ ɝɨɜɨɪɹɬ ɨ ɫɬɟɩɟɧɢ ɢɨɧɧɨɫɬɢ ɫɜɹɡɢ. ɉɪɟɞɟɥɶɧɵɦ
ɫɥɭɱɚɟɦ ɩɨɥɹɪɧɨɣ ɤɨɜɚɥɟɧɬɧɨɣ ɫɜɹɡɢ ɹɜɥɹɟɬɫɹ ɢɨɧɧɚɹ. Ɉɞɧɚɤɨ ɞɚɠɟ ɞɥɹ
ɬɚɤɢɯ ɬɢɩɢɱɧɨ ɢɨɧɧɵɯ ɤɪɢɫɬɚɥɥɨɜ, ɤɚɤ ɝɚɥɨɝɟɧɢɞɵ ɳɟɥɨɱɧɵɯ ɦɟɬɚɥɥɨɜ
ɫɬɟɩɟɧɶ ɢɨɧɧɨɫɬɢ ɪɚɜɧɚ ɧɟ ɟɞɢɧɢɰɟ, ɚ 0,9 – 0,96 (ɫɦ. ɬɚɛɥ. 1).
Ɍɚɛɥɢɰɚ 1
ɋɬɟɩɟɧɶ ɢɨɧɧɨɫɬɢ ɫɜɹɡɢ ɜ ɤɪɢɫɬɚɥɥɚɯ
Ʉɪɢɫɬɚɥɥ ɋɬɟɩɟɧɶ ɢɨɧɧɨɫɬɢ Ʉɪɢɫɬɚɥɥ ɋɬɟɩɟɧɶ ɢɨɧɧɨɫɬɢ
Si 0 ZnS 0,62
GaSb 0,26 ZnO 0,62
GaAs 0,32 MgSe 0,77
InSb 0,32 MgS 0,79
InAs 0,35 MgO 0,84
InP 0,44 NaCl 0,94
ZnTe 0,61 RbF 0,96
Ⱦɥɹ ɤɨɜɚɥɟɧɬɧɨɣ ɫɜɹɡɢ ɯɚɪɚɤɬɟɪɧɵ ɧɟɛɨɥɶɲɢɟ ɤɨɨɪɞɢɧɚɰɢɨɧɧɵɟ
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