ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
27
ный точечный дефект служит акцептором (захват электрона освобождает в
валентной зоне дырку, способную мигрировать через кристалл), во втором
случае – донором (добавляется электрон в зоне проводимости). В полупро-
водниках подобным образом можно управлять величиной и типом прово-
димости.
В ионных кристаллах комплексы из точечных дефектов, электронов и
дырок образуют различные центры окраски. Простейшим примером явля-
ется F-центр – анионная вакансия, скомпенсированная электроном, разма-
занным по всем окружающим катионам.
3.3. Дислокации
Дислокации в кристаллах – специфические линейные дефекты, нару-
шающие правильное чередование атомных плоскостей. В отличие от то-
чечных дефектов, нарушающих ближний порядок, дислокации нарушают
дальний порядок в кристалле, искажая всю его структуру. Кристалл с пра-
вильной решеткой можно изобразить в виде семейства параллельных
атомных плоскостей (рис. 8, а). Если одна из плоскостей обрывается внут-
ри кристалла (рис. 8, б), ее край образует линейный дефект, называемый
краевой дислокацией. На рис. 8, в показан другой тип дислокации – винто-
вая дислокация. Здесь ни одна из атомных плоскостей не оканчивается
внутри кристалла, но сами плоскости лишь приблизительно параллельны и
смыкаются друг с другом так, что фактически кристалл состоит из единст-
венной винтообразно изогнутой атомной плоскости. При каждом обходе
вокруг оси дислокации эта «плоскость» поднимается на один шаг винта,
равный межплоскостному расстоянию.
Рис. 8. Схема расположения атомных плоскостей в кристалле:
а – в идеальном кристалле, б – с краевой дислокацией,
в – с винтовой дислокацией
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 25
- 26
- 27
- 28
- 29
- …
- следующая ›
- последняя »
