ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
46
висимости от условий перемешивания может составлять 0,1 – 0,001 см.
Скорости кристаллизации (в зонной плавке) составляют от нескольких до-
лей миллиметров до 3 мм/мин и коэффициенты диффузии примесей в за-
висимости от их природы имеют порядок 10
-4
– 10
-6
см
2
/с.
5.5. Получение монокристаллов из расплава, направленная
кристаллизация
Метод выращивания монокристаллов элементарных и сложных полу-
проводников из расплава, состав которого близок к составу получаемого
кристалла, обладает двумя важными преимуществами по сравнению с ос-
тальными способами: высокой скоростью роста и возможностью получе-
ния больших монокристаллов. Однако этот метод неприменим для ве-
ществ, плавящихся инконгруэнтно, а также, если наблюдается фазовый пе-
реход в твердом состоянии. Кроме того, метод выращивания из расплава
иногда связан с применением высоких температур, что также ограничивает
его применимость.
Скорость роста кристалла будет определяться следующими фактора-
ми: 1) скоростью образования зародышей кристаллизации и 2) скоростью
отвода тепла от фронта кристаллизации так, чтобы температура в нем не
превышала температуры плавления растущего центра кристаллизации.
Практически в любом расплаве присутствуют примеси, которые влияют на
скорость роста и чистоту кристалла. Реальные процессы кристаллизации
всегда связаны с относительно большими скоростями роста так, что равно-
весие между расплавом и растущим кристаллом не успевает устанавли-
ваться, т. е. оттесняемая от фронта кристаллизации в расплав примесь (при
k < 1) не успевает равномерно распределяться по всему объему жидкости,
и концентрация примеси у границы раздела возрастает (рис. 18).
Рис. 18. Обогащение (а) и обеднение (б) расплава примесью вблизи фронта
кристаллизации
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- …
- следующая ›
- последняя »
