Основы физики и химии полупроводников. Яценко О.Б - 49 стр.

UptoLike

49
лидуса на некоторой прямой, проведенной параллельно оси составов. Чем
ближе расположены линии ликвидуса и солидуса, тем коэффициент рас-
пределения ближе к единице. Распределение примеси при направленной
кристаллизации для различных коэффициентов распределения представле-
но на рис. 21.
Основная литература
1. Зиненко В.И. Основы физики твердого тела / В.И. Зиненко,
Б.И. Сорокин, И.И. Турчин. – М. : Физматлит, 2001. – 336 с.
2. Павлов П.В. Физика твердого тела / П.В. Павлов, А.Ф. Хохлов. –
М. : Высш. шк., 2000. – 493 с.
3. Гончаров Е.Г. Химия полупроводников / Е.Г. Гончаров, Г.В. Семе-
нов, Я.А. Угай. – Воронеж : Изд-во ВГУ, 1995. – 270 с.
4. Шалимова К.В. Физика полупроводников / К.В. Шалимова. – М. :
Энергия, 1971. – 312 с.
5. Вайнштейн Б.К. Современная кристаллография (в 4 томах) /
Б.К. Вайнштейн, В.М. Фридкин, В.Л. Инденбом. – Том 2. – М. : Наука,
1979. – 360 с.
6. Зломанов В.П. РТх-диаграммы состояния систем металл-
халькоген / В.П. Зломанов, А.В. Новоселова. – М. : Наука, 1987. – 207 с.
7. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников / Я.А. Угай. – М. :
Высш. шк., 1975. – 302 с.
Дополнительная литература
1. Фистуль В.И. Физика и химия твердого тела / В.И. Фистуль. – М. :
Металлургия, 1995. – Т. 1. – 480 с.; Т. 2. – 320 с.
2. Бушманов Б.Н. Физика твердого тела / Б.Н. Бушманов, Ю.А. Хро-
мов. – М. : Высш. шк., 1971. – 224 с.