ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
6
Таблица 1
Вещество Σz ∆ Х
∆G
aт
,
ккал/ моль
∆Е (эксп),
эВ
∆Е (расч),
эВ
BN 12 1,0 314,6 4,6 5,6
SiC 20 0,7 300 2,8 2,5
AlAs 46 0,5 170 2,2 1,92
GaP 46 0,6 170 2,25 1,99
AlSb 64 0,3 160 1,6 1,33
GaAs 64 0,4 146 1,4 1,22
InP 64 0,6 155 1,3 1,4
GaSb 82 0,4 135 0,7 0,78
Данные табл. 1 свидетельствуют об удовлетворительном согласии
расчетных данных с экспериментом.
Влияние характера химической связи на свойства полупроводников
хорошо прослеживается в ряду изоэлектронных аналогов, к которым отно-
сятся элементарные полупроводники – германий, кремний, с электронной
концентрацией, равной четырём электронам на атом, а также соединения
A
III
B
V
, A
II
B
VI
и A
I
B
VII
, где в среднем на один атом также приходится четыре
электрона. При переходе от германия к арсениду галлия и далее – к селе-
ниду цинка ширина запрещенной зоны, согласно приведенным выше рас-
суждениям, должна расти. Действительно, в приведенном горизонтальном
ряду электронных аналогов увеличивается разность электроотрицательно-
стей компонентов, соответственно растет и ионная составляющая связи.
С ростом доли ионной связи увеличивается степень асимметрии электрон-
ного облака, смещение его в сторону анионообразователя, что приводит к
большой разнице между максимумом и минимумом периодического потен-
циала в поле кристалла. Поскольку ширина запрещенной зоны прямо про-
порциональна этой разнице, то с увеличением доли ионной связи она растет.
Так, у чистого германия ширина запрещенной зоны составляет 0,785 эВ, а у
его изоэлектронных аналогов GaAs и ZnSe она соответственно равна
1,4 эВ и 2,7 эВ.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- …
- следующая ›
- последняя »
