Структура и электронные свойства твердых тел. Загрубский А.А - 4 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СПбГУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

5.4.1
Основные характеристики электронных состояний 48
5.4.1.1 Волновая функция 50
5.4.1.2 Разрешенные и запрещенные энергетические зоны 52
5.4.1.3 Закон дисперсии (зависимости Е от k) близ краев энергетических
зон 54
5.4.1.4 Приведенная зонная схема кристалла, зона Бриллюэна 55
5.4.1.5 Квантование разрешенных состояний, число состояний,
плотность состояний 60
5.4.1.6 Импульс и скорость электрона. Эффективная масса 62
5.4.1.7 Распределение Ферми, энергия Ферми 63
5.4.1.8 Дырки, дырочные состояния 67
5.4.2 Металлы, полупроводники, диэлектрики 68
5.5 КОЛЕБАНИЯ В КРИСТАЛЛАХ, ФОНОНЫ 72
5.5.1 Теплоемкость диэлектриков, квантование колебаний 72
5.5.2 Фононы, нормальные колебания, законы дисперсии 75
5.5.3 Акустические и оптические фононные ветви 79
5.5.4 Заключительные замечания 82
5.6 ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ 84
5.6.1 Собственные состояния. Законы дисперсии 84
5.6.2 Энергетическая диаграмма полупроводника 88
5.6.3 Дефекты кристалла. Локальные состояния 90
5.6.3.1 Дефекты в объеме 90
5.6.3.2 Поверхностные состояния 97
5.6.4 Заключительные замечания 100
5.7 СТАТИСТИКА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В
ПОЛУПРОВОДНИКАХ 104
5.7.1 Статистика электронов в собственном полупроводнике 106
5.7.1.1 Концентрация носителей 107
5.7.1.2 Средние энергия, скорость и волновой вектор носителей 108
5.7.1.3 Положение уровня Ферми в собственном полупроводнике 109
5.7.1.4 Закон действующих масс 110
5.7.1.5 Эффективная масса плотности состояний 111
5.7.2 Статистика электронов в примесном полупроводнике 111
5.7.2.1 Концентрация зарядов на простых локалных центрах 112
5.7.2.2 Полупроводник с одним типом примеси 113
5.7.2.3 Частично компенсированные полупроводники. 116
ЛИТЕРАТУРА 119
4

Страницы