Физические основы микроэлектроники. Захаров А.Г - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

12
25
Согласно общей теории переноса носителей заряда в структурах
металл-полупроводник (теории термоэлектронной эмиссии –
диффузии) выражение для плотности тока имеет вид
Продолжение таблицы 2
2.3 1,5 0,01–0,1
1
⋅10
18
6⋅10
15
0,6
2.4 1,7 0,01–0,1
5
⋅10
18
8⋅10
16
0,8
2.5 1,9 0,10–1,0
1
⋅10
19
1⋅10
17
1
2.6 2,1 0,10–1,0
5
⋅10
19
5⋅10
17
1,2
2.7 2,3 0,10–1,0
1
⋅10
20
2⋅10
15
1,4
2.8 2,7 0,10–1,0
2,5
⋅10
17
1⋅10
15
1,6
2.9 2,9 1,0–10,0
2,5
⋅10
18
8⋅10
14
1,8
2.10 3,1 1,0–10,0
2,5
⋅10
19
6⋅10
14
2
2.11 3,5 1,0–10,0
7,5
⋅10
17
4⋅10
14
2,2
2.12 3,7 1,0–10,0
7,5
⋅10
18
2⋅10
14
2,4
⎥
⎥
⎦
⎤
⎢
⎢
⎣
⎡
−
−
1ee
TT
в
U
D
R
R
ϕϕ
ϕ
ϑ
ϑ
ϑ
+
=
1
qN
j
c
. (22)
c
2*
R
qN
TA
=
D
Здесь
ϑ
– скорость термоэлектронной рекомбинации
носителей заряда на границе раздела структуры металл-полупроводник
(
А
*
– эффективная постоянная Ричардсона, N
c
– плотность электронных
состояний в зоне проводимости полупроводника);
ϑ
≈
µξ
0
– скорость
дрейфа носителей заряда в обедненной области полупроводника (
ξ
0
–
максимальное значение напряженности электрического поля в
полупроводнике в области барьера Шоттки);
ϕ
в
– высота барьера
Шоттки, равная
ϕ
в
=0,235
ϕ
М
–0,352 для структуры металл-кремний n-
типа проводимости, и
ϕ
в
=E
g
–(0,235
ϕ
М
–0,352) для структуры металл-
кремний p-типа проводимости.
Задание к вопросу о методе формирования
полупроводниковой структуры
2.1. Получение на поверхности кремния слоев SiO
2
методом
термического окисления.
2.2. Анодное электролитическое оксидирование поверхности кремния.
2.3. Механизм ионного легирования при ориентированном внедрении
ионов.
Максимальное значение напряженности электрического поля в
полупроводнике рассчитывается по формуле
2.4. Механизм ионного легирования при разориентированном
внедрении ионов.
2.5. Распределение концентрации примесей в ионно-легированных
слоях.
ξ
=2(
ϕ
0
-U)/W, (23)
2.6. Преимущества и недостатки ионного легирования
полупроводников.
при условии U=0, где W – толщина обедненного слоя полупроводника,
U – напряжение смещения, т.е.
ξ
0
=2
ϕ
0
/W.
2.7. Термовакуумный метод нанесения пленок.
2.8. Получение тонких пленок при распылении ионной
бомбардировкой.
В условиях равновесия
W определяется выражением
2.9.
Получение тонких пленок при осаждении металла из электролита
и растворов.
qN
2
W
00s
ϕεε
=
D
, (24)
2.10. Разделение пластин и подложек с готовыми структурами при
сборке интегральных микросхем.
2.11. Основные методы сборки интегральных микросхем.
где
N – концентрация основных носителей заряда в полупроводнике.
2.12. Монтаж кристаллов при сборке интегральных микросхем.
Если
>>
ϑ
R
ϑ
, то справедлива теория термоэлектронной эмиссии
(теория Бете), и выражение для плотности тока (22) преобразуется к
виду
I.3. Электронно-дырочный переход
Определить во сколько раз увеличивается обратный ток
насыщения p-n-перехода, если температура увеличивается:

Страницы