ВУЗ:
Составители:
13
приходится охватывать петлей ОС. При использовании транзисторов с
h
21Э
≈ 20 можно получить А ≈ 1,5÷2 при охвате одного каскада, А ≈ 2÷5 –
при охвате двух каскадов. Для получения А > 5 приходится охватывать
три каскада. Транзисторы с большим коэффициентом усиления
позволяют получить более глубокую ОС.
Снижение коэффициента усиления, возникающее при ООС,
нетрудно скомпенсировать использованием транзисторов с увеличенным
h
21Э
или добавлением еще одного каскада. Для этого в расчете
функциональной схемы должно быть предусмотрено увеличение
входного напряжения в А раз на входе того каскада, в который вводится
обратная связь.
2.6. Ориентировочный расчет каскадов предварительного
усиления
В качестве каскадов предварительного усиления, как правило,
используются резисторные каскады, являющиеся наиболее простыми,
дешевыми и обеспечивающими достаточно высокое усиление. Расчет
каскадов предварительного усиления ведут по току (К
Т
), напряжению
(К
U
) или мощности (К
P
). Резисторные каскады с общим эмиттером при
работе на входное сопротивление следующего каскада обладают
следующими ориентировочными коэффициентами усиления:
К
T
≈ 0,8h
21Э
; К
U
≈ 0,6h
21Э
; К
P
≈ (15÷30) дБ. Отсюда, по заданным
параметрам источника сигнала E
ист
, R
ист
и определенным в п.2.3
ориентировочным параметрам оконечного каскада, нетрудно определить
число каскадов предварительного усиления.
Входное сопротивление биполярного транзистора с общим эмит-
тером в типовом режиме I
0к
= 1 мА ориентировочно равно R
вхТ2
= 1 кОм.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- …
- следующая ›
- последняя »
