Схемотехника аналоговых электронных устройств. Захаров Н.Г - 25 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

25
Исходные данные:
R
н
= 199 Ом, U
mн
= 8 B, I
mн
= 66 мА.
Выбираем транзистор:
.138
2
.)567.0...47.0()3.0...25.0(
.89.1
2
мА
R
P
I
ВтPP
Вт
R
U
P
н
н
maxк
нкmax
н
вых
н
Выбор: КТ503А (Si n-p-n β = 40...120, I
кmax
= 300 мА, Р
кmax
= 0.5 Вт).
Точку покоя устанавливают так, чтобы на выходе формировался
максимально симметричный сигнал (без ограничений и срезов). Это
зависит от соотношения сопротивлений плеч делителя R
1
-R
2
.
Из входной и выходной характеристик (рис. 9) определяем
следующие значения:
мАIмкАI
кпбп
4,50
,
ВUUВU
эпкэпбэп
20,5.0
, β = 40.
а) б)
Рис. 9. Выходная (а) и входная (б) характеристики транзистора КТ503А

Страницы