Схемотехника аналоговых электронных устройств. Захаров Н.Г - 39 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

39
Находим напряжение, подводимое к делителю:
ВUEU
Rфпд
34
.
Расчет элементов, обеспечивающих рабочий режим транзистора:
Коэффициент температурной нестабильности S = 3.
Сопротивление входной цепи транзистора:
 
Ом
I
rrR
кп
т
эбвхvt
630β1)200...100(β1'
,
где
В
Т
026,0
– тепловой потенциал.
Найдем R
б
:
ОмRRRRR
вхvtвхvtб
44107)10...5(||
21
.
Определяем значение R
э
:
Ом
S
R
R
б
э
2205
1
.
Находим значения R
1
и R
2
:
,13600
1
Ом
RI
RU
R
экп
бд
.6526
1
1
2
Ом
RR
RR
R
б
б
Напряжение базы U
бп
в состоянии покоя:
ВRIRIUU
экпээпбэпбп
025.11
.
Определяем ток в цепи делителя базы:
А
R
U
I
бп
д
0017.0
2
.
Ток I
д
должен в (2...5) раз превышать I
бп
.

Страницы