Вычислительная техника. Захаров Н.Г - 39 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

39
VT2
о
VT1 VT3
о
о + E
1
о
Х
1
ХХ
2
о
3
о
Y
Х
ХХ
2
3
Х
1
Y = X + X + X
R
а б
Рис. 2.15. Принципиальная схема (а) и функциональное обозначение (б)
НСТЛ-элемента
Если хотя бы на один вход поступает высокий уровень напряжения (логическая
единица), то соответствующий транзистор открывается и насыщается и выходное на-
пряжение снижается до U
кн
, что соответствует логическому нулю.
При подаче логической единицы на большее число входов насыщается большее
число транзисторов, но уровень выходного потенциала почти не изменяется и остает-
ся близким к нулю. Таким образом здесь реализуется операция ИЛИ-НЕ. При работе
схемы на однотипные элементы уровень логической единицы определяется значени-
ем напряжения насыщения базы равным примерно 0,7–0,8 В кремниевых транзисто-
ров, а значение напряжения насыщения коллектора равно 0,2–0,3 В. Такая малая раз-
ница уровней напряжения между логической единицей и нулем снижает помехо-
устойчивость данной схемы, но схема элемента НСТЛ отличается простотой и требу-
ет относительно небольшого числа компонентов, в результате чего эти элементы
имеют особые преимущества для миниатюризации.
2.13. Транзисторно-транзисторные логические элементы
Схема ТТЛ ЛЭ, выполняющего логическую функцию И-НЕ, серии 155 пред-
ставлена на рис. 2.16. Схема содержит входной каскад, реализующий функцию И, фа-
зоинверсный каскад с источником тока и выходной каскад с активной нагрузкой.
k
k
1 2 3

Страницы