Электротехнические материалы и техника высоких напряжений. Закарюкин В.П. - 35 стр.

гистерезисных циклов ферромагнитного сердечника на частоте 50 Гц.
Принципиальная схема макета показана на рис. 2.
                                       lср      R2
         T1

                         u1     w1
≈220 В         V                             V2     C
                                     w2
                    R1                      u2                Y X




                                Рис. 2

      Измерение параметров гистерезисного цикла производится с помо-
щью осциллографа – прибора, преобразующего напряжения на его входах
в перемещение светового пятна на экране в двух взаимно перпендикуляр-
ных направлениях. На вход усилителя вертикального отклонения осцилло-
графа подается напряжение, пропорциональное индукции магнитного поля
в сердечнике, на вход усилителя горизонтального отклонения – напряже-
ние, пропорциональное напряженности поля. Принципы получения соот-
ветствующих напряжений основаны на двух законах:
   • полного тока i1 w1 = ∫ H dl ≈ H lср ,                       (1)
                         L
                                          dΨ            dB
  • электромагнитной индукции e = −            = − w2 S    ,      (2)
                                          dt            dt
где w1, w2 – числа витков обмоток; lср – длина средней силовой линии
магнитного поля в сердечнике, м; i1w1 – полный ток, протекающий внутри
сердечника (при незагруженной вторичной обмотке), амперы; e – ЭДС,
вольт, наводимая во вторичной обмотке магнитным полем с индукцией B;
S – площадь поперечного сечения сердечника, м2, предполагаемая одина-
ковой по всей длине магнитной силовой линии.
      Падение напряжения на резисторе R1 в соответствии с выражением
(1) пропорционально напряженности магнитного поля в сердечнике:
                     H lср R1            U w
      U R1 = I1 R1 =          , или H m = R1,m 1 ,                (3)
                       w1                 R1lср
где I1 – действующее значение тока в первичной обмотке, А; U R1,m – ам-
плитуда падения напряжения на резисторе R1, которую можно определить
по размаху луча по горизонтали на экране осциллографа и чувствительно-
сти осциллографа по входу X.
      ЭДС вторичной обмотки трансформатора, в соответствии с выраже-
нием (2), пропорциональна производной от индукции поля в сердечнике.

                                  35