Электротехнические материалы и техника высоких напряжений. Закарюкин В.П. - 62 стр.

гом, так что их напряжения складываются. Автоматическое и достаточно
быстрое переключение с параллельного соединения на последовательное
осуществляется искровыми разрядниками.
      Более подробное описание приведено в книгах [4], [6], с. 99-123, [7],
с.287-294.

      2. Описание экспериментальных установок
      В лабораторной работе используются четырехступенчатый генератор
импульсных напряжений ГИН-500 и одноступенчатый генератор ГИН-30
(SPF-0.022/30).
      Генератор ГИН-500 имеет максимальное напряжение импульса 500
кВ, номинальную энергию емкостного накопителя 4.4 кДж, ударную (им-
пульсную) емкость 35 нФ, зарядное напряжение 125 кВ. Упрощенная схе-
ма такого генератора показана на рис. 2.
      Сетевое напряжение через контактор SB1 (зеленая кнопка с надпи-
сью        на пульте управления) подается на регулировочный трансфор-
матор Т1, управляемый электроприводом с помощью кнопок     (повыше-
ние напряжения ↑ , понижение напряжения ↓ , остановка понижения ).
Регулируемое напряжение через контакты SB2 (кнопка          ) и резистор
R1, служащий для ограничения зарядного тока, подается на высоковольт-
ный трансформатор Т2, конструктивно оформленный в одном баке с вен-
тилями V1, V2 и конденсатором C1. Примененная схема выпрямления по-
зволяет получить зарядное напряжение, равное удвоенному значению ам-
плитуды напряжения на высоковольтной обмотке трансформатора Т2.
       С помощью резистора R2 и микроамперметра P3, проградуированно-
  го в киловольтах, контролируется величина зарядного напряжения ГИН.
       Основными конденсаторами схемы являются конденсаторы C2 – C5,
заряжаемые от выпрямителя параллельно. Поджиг и коммутация конден-
саторов производится с помощью искровых промежутков FV1 и FV2. С
помощью дополнительного импульса сравнительно небольшого напряже-
ния (около 15 кВ) инициируется пробой промежутка FV1, конденсатор C3
через резистор R7 оказывается соединенным последовательно с конденса-
тором C2. Потенциал верхнего по схеме шара промежутка FV2 поднимает-
ся до двойного зарядного напряжения, в то время как потенциал нижнего
шара остается почти нулевым, поскольку емкости элементов, соединенных
с нижним шаром, по отношению к земле не успевают подзарядиться через
резистор R8 до величины зарядного напряжения. Промежуток FV2 проби-
вается, и конденсаторы C2 и C3 оказываются подключенными последова-
тельно, так что напряжение на нижней пластине конденсатора С4 равно
удвоенному зарядному напряжению.


                                    62