ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
трика: E
c
=1,
η
=2,
θ
=0.1,
λ
=0.5 и условия пробоя U=300, L=20. Введите в
межэлектродный промежуток между острием и нижним электродом барьер
с диэлектрической проницаемостью
ε
rб
=5. Рассчитайте и занесите в табл. 4
среднюю напряженность поля в
E
ср
промежутке.
3.2.2. После расчета начального распределения поля с помощью “ин-
спектора” определите и занесите в табл. 4 максимальную напряженность
поля. В табл. 3 внесите координаты расположения барьера. Рассчитайте и
занесите в табл. 3 коэффициент неоднородности поля. Определите и зане-
сите в табл. 4 начальную напряженность поля в барьере
E
б
. Распечатайте
на принтере начальную конфигурацию поля.
3.2.3. Начните моделирование развития разрядной структуры. После
завершения пробоя занесите в табл. 4 значение времени развития разряда
t
р
. Распечатайте на принтере картину разряда и конфигурацию поля.
3.2.4. Повторите действия п.п. 1-3 для значений диэлектрической
проницаемости барьера
ε
rб
=10 и
ε
rб
=15, при одинаковых значениях осталь-
ных величин и расположении барьера. Проанализируйте результаты ис-
следования и напишите выводы.
Условия пробоя Таблица 3
напряжение
U
длина острия
L
величина промежутка
d
средняя напряженность поля
E
ср
коэффициент неоднородности
k
критическая напряженность
E
c
показатель роста
η
временной параметр
θ
координата верхнего края барьера
y
толщина барьера
h
Результаты моделирования Таблица 4
номер опыта 1 2 ...
диэлектрическая проницаемость барьера
ε
rб
E
max
E
б
t
р
3.3. Исследование влияния диэлектрического включения на характер
развития разряда и распределение поля в диэлектрике.
3.3.1. Запустите программу и введите следующие параметры диэлек-
трика:
E
c
=1,
η
=2,
θ
=0.1,
λ
=0.5 и условия пробоя U=300, L=20. Введите в
межэлектродный промежуток в стороне от острия круглое диэлектриче-
ское включение с диэлектрической проницаемостью
ε
rв
=7 и внесите в табл.
5 координаты включения. Рассчитайте и занесите в табл. 6 среднюю на-
84
трика: Ec=1, η=2, θ=0.1, λ=0.5 и условия пробоя U=300, L=20. Введите в
межэлектродный промежуток между острием и нижним электродом барьер
с диэлектрической проницаемостью εrб =5. Рассчитайте и занесите в табл. 4
среднюю напряженность поля в Eср промежутке.
3.2.2. После расчета начального распределения поля с помощью “ин-
спектора” определите и занесите в табл. 4 максимальную напряженность
поля. В табл. 3 внесите координаты расположения барьера. Рассчитайте и
занесите в табл. 3 коэффициент неоднородности поля. Определите и зане-
сите в табл. 4 начальную напряженность поля в барьере Eб. Распечатайте
на принтере начальную конфигурацию поля.
3.2.3. Начните моделирование развития разрядной структуры. После
завершения пробоя занесите в табл. 4 значение времени развития разряда
tр. Распечатайте на принтере картину разряда и конфигурацию поля.
3.2.4. Повторите действия п.п. 1-3 для значений диэлектрической
проницаемости барьера εrб=10 и εrб=15, при одинаковых значениях осталь-
ных величин и расположении барьера. Проанализируйте результаты ис-
следования и напишите выводы.
Условия пробоя Таблица 3
напряжение U
длина острия L
величина промежутка d
средняя напряженность поля Eср
коэффициент неоднородности k
критическая напряженность Ec
показатель роста η
временной параметр θ
координата верхнего края барьера y
толщина барьера h
Результаты моделирования Таблица 4
номер опыта 1 2 ...
диэлектрическая проницаемость барьера εrб
Emax
Eб
tр
3.3. Исследование влияния диэлектрического включения на характер
развития разряда и распределение поля в диэлектрике.
3.3.1. Запустите программу и введите следующие параметры диэлек-
трика: Ec=1, η=2, θ=0.1, λ=0.5 и условия пробоя U=300, L=20. Введите в
межэлектродный промежуток в стороне от острия круглое диэлектриче-
ское включение с диэлектрической проницаемостью εrв=7 и внесите в табл.
5 координаты включения. Рассчитайте и занесите в табл. 6 среднюю на-
84
