ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
C1
C2
R1
R2
u
Рис. 10.4. Вариант схемы одноступенчатого ГИН
Схему ГИН по рис. 10.3 или 10.4 иногда называют одноступенчатой.
Использование подобной схемы при напряжении более 250-300 кВ стано-
вится неприемлемым из-за больших затрат на выпрямитель и больших
размеров элементов. Получение импульсов высокого напряжения с ис-
пользованием сравнительно низковольтных зарядных устройств и конден-
саторов возможно при
использовании многоступенчатых (каскадных)
схем
ГИН. В многоступенчатой схеме несколько конденсаторов заряжают-
ся от зарядного устройства параллельно, а при разряде переключаются в
последовательное соединение со сложением напряжений на них. Переклю-
чение обычно производится с помощью искровых промежутков.
На рис. 10.5 показана схема четырехступенчатого ГИН. ГИН имеет
зарядное устройство на трансформаторе T1 и элементах R
защ
и V1, основ-
ные конденсаторы C1, шаровые разрядники FV1-FV5, демпфирующие ре-
зисторы R
д
и элементы формирования фронта R2C2. Расстояния между
шарами промежутков FV1-FV4 подобраны так, что их пробивное напряже-
ние немного больше зарядного напряжения. Символами C
П
обозначены
паразитные емкости оборудования, играющие существенную роль в работе
генератора.
Конденсаторы ГИН заряжаются от высоковольтного выпрямителя
через зарядные резисторы R
зар
параллельно до одинакового напряжения U
0
.
На промежуток FV1 подается дополнительный поджигающий импульс на-
пряжения, так что FV1 пробивается. Потенциал точки 3 практически мгно-
венно становится равным U
0
, поскольку величина сопротивления резисто-
ра R
д
мала и мала постоянная времени цепочки R
д
C
П
. Потенциал точки 4
по отношению к земле при этом равен сумме потенциала точки 3 и напря-
жения U
0
, а потенциал точки 5 остается нулевым, поскольку паразитная
емкость C
П
не успевает зарядиться через сравнительно высокоомный рези-
стор R
зар
. Напряжение на промежутке FV2 оказывается равным 2U
0
и про-
межуток FV2 пробивается, что приводит в первый момент времени к появ-
лению напряжения 3U
0
на промежутке FV3. Аналогично пробивается и
промежуток FV4, так что все четыре конденсатора оказываются соединен-
ными последовательно через искровые промежутки и резисторы R
д
. Рези-
стор R
д
используется для демпфирования колебаний в контуре C1-FV1-CП,
в котором из-за наличия индуктивностей проводов могут возникнуть зату-
78
R2
C1 C2
R1 u
Рис. 10.4. Вариант схемы одноступенчатого ГИН
Схему ГИН по рис. 10.3 или 10.4 иногда называют одноступенчатой.
Использование подобной схемы при напряжении более 250-300 кВ стано-
вится неприемлемым из-за больших затрат на выпрямитель и больших
размеров элементов. Получение импульсов высокого напряжения с ис-
пользованием сравнительно низковольтных зарядных устройств и конден-
саторов возможно при использовании многоступенчатых (каскадных)
схем ГИН. В многоступенчатой схеме несколько конденсаторов заряжают-
ся от зарядного устройства параллельно, а при разряде переключаются в
последовательное соединение со сложением напряжений на них. Переклю-
чение обычно производится с помощью искровых промежутков.
На рис. 10.5 показана схема четырехступенчатого ГИН. ГИН имеет
зарядное устройство на трансформаторе T1 и элементах Rзащ и V1, основ-
ные конденсаторы C1, шаровые разрядники FV1-FV5, демпфирующие ре-
зисторы Rд и элементы формирования фронта R2C2. Расстояния между
шарами промежутков FV1-FV4 подобраны так, что их пробивное напряже-
ние немного больше зарядного напряжения. Символами CП обозначены
паразитные емкости оборудования, играющие существенную роль в работе
генератора.
Конденсаторы ГИН заряжаются от высоковольтного выпрямителя
через зарядные резисторы Rзар параллельно до одинакового напряжения U0.
На промежуток FV1 подается дополнительный поджигающий импульс на-
пряжения, так что FV1 пробивается. Потенциал точки 3 практически мгно-
венно становится равным U0, поскольку величина сопротивления резисто-
ра Rд мала и мала постоянная времени цепочки RдCП. Потенциал точки 4
по отношению к земле при этом равен сумме потенциала точки 3 и напря-
жения U0, а потенциал точки 5 остается нулевым, поскольку паразитная
емкость CП не успевает зарядиться через сравнительно высокоомный рези-
стор Rзар. Напряжение на промежутке FV2 оказывается равным 2U0 и про-
межуток FV2 пробивается, что приводит в первый момент времени к появ-
лению напряжения 3U0 на промежутке FV3. Аналогично пробивается и
промежуток FV4, так что все четыре конденсатора оказываются соединен-
ными последовательно через искровые промежутки и резисторы Rд. Рези-
стор Rд используется для демпфирования колебаний в контуре C1-FV1-CП,
в котором из-за наличия индуктивностей проводов могут возникнуть зату-
78
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 76
- 77
- 78
- 79
- 80
- …
- следующая ›
- последняя »
