ВУЗ:
Составители:
54
Повторить этот опыт для U
КЭ
= 5 В, U
КЭ
= 10 В. Построить графики
входных характеристик, указав для каждого соответствующие значения
U
КЭ
.
3. При измерении выходных характеристик транзистора установить
первое значение тока базы I
Б
= 20 мкА и, изменяя значения напряжения
U
КЭ
согласно указанным в табл. 2, снять зависимость I
К
(U
КЭ
). Повторить
эти измерения при каждом значении I
Б
, указанном в табл. 2.
При проведении этих измерений учитывать примечание к предыду-
щему эксперименту.
4. По построенным экспериментальным графикам входных и выход-
ных характеристик транзистора определить его h – параметры по методи-
ке, использованной в расчетном задании.
5. Полученные экспериментальные результаты сравнить с расчетны-
ми и отразить в выводах.
Таблица 2
U
КЭ
,
В
I
К
,
мА
при I
Б
= 20
мкА
I
К
,
мА
при I
Б
= 50
мкА
I
К
,
мА
при I
Б
= 100
мкА
I
К
,
мА
при I
Б
= 200
мкА
0
0,5
1,0
2,0
5,0
10
15
Контрольные вопросы и задания
1. Изобразить статические входные и выходные характеристики транзистора.
2. Чем определяется наличие тока I
К0
?
3. Записать систему
h
– параметров для транзистора как четырехполюсника.
3. Привести основные дифференциальные параметры транзистора на основе
h
– параметров.
4. Как, используя входные и выходные ВАХ транзистора, определить его
h
– параметры?
5. Как построить нагрузочную прямую транзистора, чем определяется ее наклон,
что по ней можно определить?
6. Привести эквивалентную схему транзистора с
h
– параметрами.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 52
- 53
- 54
- 55
- 56
- …
- следующая ›
- последняя »