Технические средства и методы защиты информации. Зайцев А.П - 161 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МИРЭА | Москва

Составители: 

Рубрика: 

158
катора Р
изл.
, снижении частоты его излучения f и номера принимаемой гар-
моники N. Кроме того, чем ниже частота излучения локатора, тем меньшие
значения имеют коэффици-
енты затухания, что также
ведет к увеличению мощ-
ности сигнала от объекта.
Рис. 3.19. Электрическая схе-
ма замещения ЛН
Технология нелинейной локации
Рассмотрим один из способов повышения достоверности обнаружения
полупроводниковых устройств с помощью ЛН [34].
Антенна ЛН облучает объект для определения наличия в нем элек-
тронных компонентов. Когда высокочастотный сигнал облучает полупро-
водниковые соединения, он возвращается на гармонических частотах с оп-
ределенными уровнями, благодаря нелинейным характеристикам
соединения. Но ложные срабатывания также
могут возникнуть из-за того,
что места соединения двух различных металлов или коррозионные метал-
лические конструкции также вызывают гармонический отраженный сигнал
вследствие своих нелинейных характеристик. Такие соединения называют-
ся ложными.
На рис. 3.20 показаны вольт-амперные характеристики полупроводни-
кового и ложного соединений. Из-за различного характера нелинейных ха-
рактеристик полупроводникового и
ложного соединений составляющие 2-й
и 3-й гармоник в отраженном сигнале будут иметь различное соотношение.
Когда ЛН облучает полупроводник, вторая гармоника отклика превосходит
третью по интенсивности. При облучении ложного соединения имеет ме-
сто обратная картина: отклик на 3-й гармонике имеет более высокий уро-
вень, чем на 2-й.
Рис. 3.20. Вольт-амперные характеристики полупроводникового
и ложного соединений
I
I
U
U
а б
катора Ризл., снижении частоты его излучения f и номера принимаемой гар-
моники N. Кроме того, чем ниже частота излучения локатора, тем меньшие
                                               значения имеют коэффици-
                                               енты затухания, что также
                                               ведет к увеличению мощ-
                                               ности сигнала от объекта.



                                              Рис. 3.19. Электрическая схе-
                                                    ма замещения ЛН

    Технология нелинейной локации
    Рассмотрим один из способов повышения достоверности обнаружения
полупроводниковых устройств с помощью ЛН [34].
    Антенна ЛН облучает объект для определения наличия в нем элек-
тронных компонентов. Когда высокочастотный сигнал облучает полупро-
водниковые соединения, он возвращается на гармонических частотах с оп-
ределенными уровнями, благодаря нелинейным характеристикам
соединения. Но ложные срабатывания также могут возникнуть из-за того,
что места соединения двух различных металлов или коррозионные метал-
лические конструкции также вызывают гармонический отраженный сигнал
вследствие своих нелинейных характеристик. Такие соединения называют-
ся ложными.
    На рис. 3.20 показаны вольт-амперные характеристики полупроводни-
кового и ложного соединений. Из-за различного характера нелинейных ха-
рактеристик полупроводникового и ложного соединений составляющие 2-й
и 3-й гармоник в отраженном сигнале будут иметь различное соотношение.
Когда ЛН облучает полупроводник, вторая гармоника отклика превосходит
третью по интенсивности. При облучении ложного соединения имеет ме-
сто обратная картина: отклик на 3-й гармонике имеет более высокий уро-
вень, чем на 2-й.
               I                                I



                                   U                              U


         а                             б
       Рис. 3.20. Вольт-амперные характеристики полупроводникового
                           и ложного соединений
158

Страницы