Технические средства и методы защиты информации. Зайцев А.П - 187 стр.

ент, учитывающий многократные внутренние переотражения волны от по-
верхностей экрана.
    Если потеря энергии волны в экране, то есть ее поглощение, превосхо-
дит 10 дБ, то последним коэффициентом в приведенном выражении можно
пренебречь. Эффективность экранирования вследствие поглощения энер-
гии в толще экрана            можно рассчитать из простого соотношения
К погл = 8,7 d π f μ m σ , полученного на основе представления электрической
и магнитной составляющей поля в материале, на поверхности которого
выполняются граничные условия Леонтовича.

      4.2.2. Подавление емкостных паразитных связей

    Емкостная паразитная связь между двумя электрическими цепями воз-
никает через ближнее электрическое поле. Для снижения паразитной емко-
сти между электрическими цепями вводится токопроводящий экран, со-
единенный с общим проводом и замыкающий на общий провод большую
часть электрических силовых линий [3].
    Введением экрана, имеющего сопротивление, равное нулю относи-
тельно общего провода, теоретически наводку можно снизить до нуля.
Практически же всегда из-за наличия проводников и технологических от-
верстий и возникновения краевых эффектов имеется остаточное ближнее
электрическое поле и, следовательно, остаточная емкость.
    При экранировании электрического поля очень важно создать низкое
сопротивление экрана относительно корпуса (общего провода). Появление
любого сопротивления, особенно индуктивного, в цепи соединения экрана
с общим проводом создает эффект паразитной связи через посторонний
провод, поэтому все металлические элементы конструкции всегда должны
тщательно соединяться между собой и с общим проводом.

      4.2.3. Подавление индуктивных паразитных связей

    Паразитная индуктивная связь возникает между двумя электрическими
цепями через ближнее магнитное поле. Для снижения величины магнитных
полей используют два вида экранирования: магнитостатическое и динами-
ческое.
    Магнитостатическое экранирование или экранирование шунтировани-
ем магнитного поля основано на применении экранов из ферромагнитных
материалов с большой магнитной проницаемостью. Линии магнитного по-
ля как бы втягиваются в материал с более высокой магнитной проницаемо-
стью, в результате внутри экрана поле ослабляется. Эффективность магни-
тостатического экранирования зависит от магнитного сопротивления
экрана [3]
186