Составители:
Рубрика:
31
Суммарная ЭДС собственных шумов транзистора, приведенных ко
входу, определится соотношением
2
22
шт.бш.б б
к
4.
2
kT
eee kTr f
qI
=+ = + ∆
(3.4)
Эквивалентная шумовая схема транзистора, учитывающая все ис-
точники шумов, приведенные ко входу, представлена на рис. 3.3, где
e
ш.г
– эффективное значение ЭДС тепловых шумов внутреннего сопро-
тивления источника сигнала R
г
:
2
ш.г г
4
.
e
kTR
f
=∆
Как следует из соотношений (3.1)–(3.4), шумы усилительного каска-
да на биполярном транзисторе определяются параметрами транзистора,
температурой окружающей среды и режимом работы по постоянному
току.
Важной особенностью транзисторов является возрастание уровня
шумов на низких частотах. Низкочастотный избыточный шум (шум
мерцания, фликкер-шум, шум типа 1/f) связан с процессами генера-
ции-рекомбинации свободных носителей заряда в полупроводнике.
Флюктуации процесса рекомбинации дырок и электронов описыва-
ются механизмом захвата ловушками, которые обусловлены дефек-
тами кристалла в объеме и на поверхности. Строгая теория избыточ-
ных шумов, которая позволяла бы определять их уровень по задан-
ному режиму транзистора и малосигнальным параметрам, недоста-
точно разработана. Поэтому для оценки уровня шумов используют
Рис. 3.3. Эквивалентная шумовая схема транзистора
с приведенными ко входу источниками шумов
i
ш.б
e
с
e
ш.г
R
г
r
б
r
к.б
R
н
βi
б
(β+1)r
э
e
ш
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 29
- 30
- 31
- 32
- 33
- …
- следующая ›
- последняя »
