Исследование свойств полупроводников методом вольтфарадных характеристик. Абрамов В.Б - 9 стр.

стант (рис. 43).                                                                  инжекции и положительный и отрицательный заряды оказываются в одной и той
    Выражение можно либо составить с помощью кнопок, либо непосредственно         же области и пространственно не разделяются, в результате чего невозможно об-
в строке ввода с помощью клавиатуры (если Вы уже представляете особенности        наружить область, где проходят токи смещения. В этом существенное отличие
синтаксиса). Размерность выражения в расчетах не участвует. Она нужна для ин-     диффузионной емкости от барьерной емкости p-n-перехода и от емкости обычно-
формации экспериментатора и для обозначения осей графиков. Однако пустой          го конденсатора.
быть не должна, – если величина безразмерная, следует ввести какое-нибудь обо-
значение этого, например «б/р».
    Рядом с табличкой с названиями выражений находится панель с кнопками
управления. Эти кнопки реализуют следующие команды:
    Новое – открывает новое выражение. Всего выражений для одного измерения
может быть не более пяти.
    Записать – сохраняет все изменения, произведенные с выражением.
    Удалить – удаляет выражение, отмеченное в табличке.
    Назначение встроенных функций в построителе выражений понятны по их на-                         Рис. 7. Распределение носителей при изменении напряжения:
                                                                                       а,в – установившиеся состояния; б – нейтрализация заряда инжектированных носителей
званиям. Следует только отметить, что функция Log () представляет собой нату-
ральный логарифм.                                                                    Наличие диффузионной емкости приводит к тому, что эквивалентная схема
                                                                                  диода на основе p-n–перехода становится более сложной по сравнению с диодом
       Формирование отчета                                                        Шоттки (рис. 8).
    При формировании отчета приложение интегрируется с одним из текстовых                                                R p-n          Rs
редакторов: MS WinWord или WordPad. Выбрать редактор для отчетов можно из
главного меню Инструменты–Параметры отчета (рис. 44).
                                                                                                                     U


                                                                                                                                  С бар
                                                                                                                                             С
                                                                                                                                  С диф
                                                                                                       Рис. 8. Эквивалентная схема диода с p-n–переходом
                         Рис. 44. Выбор редактора для отчета
                                                                                      Барьерная и диффузионная емкости соединены параллельно, поэтому для раз-
    MS WinWord предпочтительнее в качестве редактора, поскольку предоставля-      дельного их определения необходимо проводить измерения не на одной частоте.
ет более широкие возможности. В этом же окне можно выбрать, в каком пред-         Однако следует отметить, что при обратных напряжениях изменение количества
ставлении будут копироваться графики – в виде метафайла (*.wmf) или в виде рас-   неосновных носителей (а, следовательно, и заряда, определяющего диффузион-
тра (*.bmp). Выбор представления зависит от возможностей Вашего принтера и        ную емкость) будет незначительным, и тогда можно считать, что Cдиф << Сбар. При
определяется экспериментально (WordPad может работать только с растровыми         прямых напряжениях этого утверждать нельзя, и емкости будут соизмеримы.
рисунками).
    Открыть отчет возможно только при открытой рабочей тетради, либо при по-                               Емкость МДП-структуры
мощи меню, либо при помощи кнопок на панели инструментов (рис. 45).
                                                                                      По своему строению структура металл–диэлектрик–полупроводник (МДП)
                                                                                  представляет собой плоский конденсатор, одна из обкладок которого выполнена
                                                                                  из полупроводника. Наличие полупроводника приводит к тому, что в структуре
                                                                                  появляются дополнительные слои, как хорошо проводящие электрический ток,
                                                                                  так и плохо. Эти слои имеют достаточно большие размеры по сравнению с метал-

                                              36                                                                                  9