ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Me
p-п/п p-п/п p-п/п p-п/п
E
f
E
V
E
С
обогащенный
слой
диэлектрик
Me
E
f
E
V
E
С
диэлектрик
Me
E
f
E
V
E
С
обедненный
слой
обедненный
слои
диэлектрик
Me
E
f
E
V
E
С
диэлектрик
инверсный и
а
)
б
)
в
)
г
)
-
Q
p
Q
p
-
Q
A
-
Q
A
-
Q
пс
-
Q
пс
Q
A
-
Q
пс
Q+Q Q
A
рпс
-
Q
пс
Q
пс
Q
пс
Q
пс
Q
р
U<
з
0 U
з
=
ϕ
0F
U
з
=
ϕ
B
U>
з
ϕ
B
Рис. 10. Энергетические диаграммы и схематическое распределение зарядов в МДП-структуре:
а) – обогащения; б) – плоских зон; в) –обеднения; г) –инверсии
0
10
-5
10
-4
-6
10
-7
10
-8
10
10
-9
-0,4 -0,2 0,40,2 0,6 0,8 1 0,
Плоские
зоны
Слабая
инверсия
(Сильная
инверсия)
315
104
−
⋅=
cmNa
P-тип Si (300 ) K
(Обогащение)
Ev
||Qs ,
Кл/см
ϕ
2
ϕ
B
B
Ei
Ec
ϕ
s
,
B
exp(q
ϕ
/2kT
s
~
)
exp(q
ϕ
/2kT
s
~
)
Обед
нение
s
ϕ
~
Рис. 11. Зависимость Q
s
(ϕ
s
)
На рис. 12 показаны вольт-фарадные характеристики (С-V-характеристики)
для различных режимов МДП-структуры: обогащения (ϕ
s
<0), обеднения
(0<ϕ
S
<ϕ
B
), слабой (ϕ
B
<ϕ
S
<2ϕ
B
) и сильной (ϕ
S
>2 ϕ
B
) инверсий. Начиная с области
слабой инверсии в зависимости от частоты измерительного сигнала и темпа изме-
значениями (риc. 41, 42). Для построения нужно нажать кнопку «Построить».
Рис. 41. Построение прямой на графике
Рис. 42. Результат определения tg угла наклона
В области построения графика появляется прямая линия с квадратными об-
11 34
значениями (риc. 41, 42). Для построения нужно нажать кнопку «Построить». диэлектрик диэлектрик диэлектрик диэлектрик
Me p-п/п Me p-п/п Me p-п/п Me p-п/п
EС EС EС
EС
Ef Ef Ef Ef
EV
EV EV EV инверсный и
обогащенный обедненный обедненный
слой слой слои
Uз<0 Uз=ϕ0F Uз=ϕB Uз>ϕB
Qпс
Qp Qпс Qпс QA+Qр-Qпс Qпс
-Qp
QA-Qпс -QA -QA
-Qпс Qр
-Qпс
а) б) в) г)
Рис. 10. Энергетические диаграммы и схематическое распределение зарядов в МДП-структуре:
а) – обогащения; б) – плоских зон; в) –обеднения; г) –инверсии
Рис. 41. Построение прямой на графике -4
10
P-тип Si (300K)
-5 Na = 4 ⋅1015 cm −3 ~ exp(q ϕs /2kT)
10
~ exp(q ϕs /2kT) (Сильная
(Обогащение) инверсия)
10
-6
2ϕB
|Qs|, Кл/см
-7 ~ ϕs
10 Плоские
зоны
-8 Обед Слабая
10 нение инверсия
-9
10
Ev ϕB Ei Ec
ϕs,B
-0,4 -0,2 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
Рис. 11. Зависимость Qs(ϕs)
На рис. 12 показаны вольт-фарадные характеристики (С-V-характеристики)
для различных режимов МДП-структуры: обогащения (ϕs<0), обеднения
Рис. 42. Результат определения tg угла наклона (0<ϕS <ϕB), слабой (ϕB<ϕS <2ϕB) и сильной (ϕS >2 ϕB) инверсий. Начиная с области
В области построения графика появляется прямая линия с квадратными об- слабой инверсии в зависимости от частоты измерительного сигнала и темпа изме-
34 11
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »
