Исследование свойств полупроводников методом вольтфарадных характеристик. Абрамов В.Б - 13 стр.

графикам. При этом они отображаются в области построения.                          ностного потенциала.
                                                                                       Для обедненного слоя МДП-структуры решение уравнения Пуассона дает та-
   Кнопка      позволяет редактировать название графика. При нажатии на нее в      кой же результат как и в случае барьера Шоттки, поэтому можно воспользоваться
области управления появляется строка ввода с названием и кнопкой      (рис. 38).   уравнением (2) для определения концентрации примеси в полупроводнике.
                                                                                       Из всех МДП-структур наиболее важными являются структуры металл –SiO2,
                                                                                   –Si (МОП). Отличие характеристик реальных МОП-структур от соответствующих
                                                                                   зависимостей идеальных МДП-конденсаторов обусловлено существованием
                                                                                   сложного распределения зарядов в окисле и возникновение поверхностного заряда
                                                                                   в кремнии, обусловленного поверхностными ловушками (рис.13).


                                                                                                                                             Металл
                                                                                                                   заряд подвижных
                                                                                                            Na+    ионов Q
                                                                                                               K+
                     Рис. 38. Редактирование названия графика                                          заряд захваченный                     SiO2
                                                                                                       в окисле
    После исправления названия необходимо нажать эту кнопку и результат пере-                                       Фиксированный
                                                                                                            +++
пишется в таблицу, а строка ввода пропадет.
    Рядом с табличкой находится панель с кнопками управления. Эти кнопки реа-
                                                                                                            ---     заряд окисла


лизуют следующие команды:                                                                               +     +       +       +       +      SiOк
    Новый – открывает новый график. В табличке появляется новая запись с на-




                                                                                                       +




                                                                                                                          +


                                                                                                                                 +
званием по-умолчанию и включается режим редактирования названия – появляет-




                                                                                                            +
                                                                                                                   +


                                                                                                                                 +
                                                                                                       Заряд, захваченный
                                                                                                       поверхностными ловушками
ся строка ввода с названием, а кнопка    переходит в нажатое состояние.
                                                                                                                                              Si
    Стиль – позволяет изменить внешнее представление графика. В этот же ре-
жим можно попасть из главного меню Инструменты–Параметры графика. В
этом случае Вы установите внешний вид всех строящихся новых графиков.                                             Рис. 13. Заряды в окисле
    Сохранить – сохраняет все изменения, произведенные с графиком.
                                                                                       Основная причина возникновении поверхностных состояний в запрещенной
    Удалить – удаляет график, отмеченный в табличке.                               зоне п/п заключается в том, что сама граница раздела является нарушением про-
    В правой части области управления находится панель манипулирования дан-        странственной периодичности кристаллической решетки. При изменениях прило-
ными. С помощью выпадающих списков можно сопоставить каждой оси любую              женного к МДП-структуре напряжения положение энергетических уровней по-
из колонок таблицы рабочей тетради. Если параметр Z будет пустой, то отобража-     верхностных ловушек изменяется, следуя за смещением краев разрешенных зон
ется одна кривая, если же выбрана какая-либо колонка из списка, то отображается    полупроводника на границе раздела. В результате происходит изменение зарядно-
семейство кривых.                                                                  го состояния этих ловушек.
    Также можно устанавливать логарифмический масштаб по любой из осей.                Исходя из вышеизложенного следует, что эквивалентная схема МДП-
Будьте внимательны, при выборе логарифмического масштаба значения должны           структуры оказывается довольно сложной (рис. 14). На этом рисунке Сd – емкость
быть только положительными.                                                        диэлектрика; Rs – сопротивление полупроводника; Соб, Rоб – емкость и сопротив-
   Внешний вид графика. Возможно изменение цвета и толщины соединительной          ление обедненного слоя полупроводника соответственно; Синв, Rинв – емкость и
линии, формы и размера маркеров экспериментальных точек (рис. 39).                 сопротивление инверсного слоя полупроводника; Спс, Rпс – емкость и сопротивле-
                                                                                   ние, обусловленные поверхностными ловушками в полупроводнике. Однако такая
                                                                                   полная схема будет реализована только при низкочастотных измерениях в режиме
                                                                                   сильной инверсии.


                                            32                                                                                  13