Исследование свойств полупроводников методом вольтфарадных характеристик. Абрамов В.Б - 14 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

Соб
Rоб
Rпс
Rинв
Rs
Спс
Сd
Син
в
Рис. 14. Полная эквивалентная схема МДП-структуры
При других режимах работы МДП-структуры схема будет изменятся (рис. 15).
Соб
Rоб
Rs Rs
Сd Сd
a
)
б
)
Рис. 15. Эквивалентные схемы МДП-структуры при разных режимах:
а) – обогащения; б) – обеднения и инверсии при ВЧ измерениях
(без учета поверхностных состояний)
В частности, в режиме обогащения никаких емкостей в полупроводнике не
существует, и эквивалентная схема будет состоять из двух элементов: С
d
– ем-
кость диэлектрика и R
s
– сопротивление полупроводника. В режиме обеднения
(без учета поверхностных состояний) эта схема дополняется С
об
и R
об
– емкостью
и сопротивлением обедненного слоя полупроводника. Аналогичная схема получа-
ется и в инверсном режиме при высокочастотных измерениях, поскольку заряд
подвижных носителей не успевает изменяться при изменении напряжения изме-
рительного сигнала (как в данной лабораторной работе).
Преобразование схем
Необходимость в преобразовании схем появляется вследствие того, что из-
мерительный прибор может измерить либо последовательно соединенные актив-
ные и реактивные элементы схемы, либо параллельно. В настоящей лабораторной
работе применяется именно параллельная схема (рис. 16). Эквивалентные же схе-
мы структур являются более сложными, чем измерительная.
Рис. 36. Работа с графиками
Рис. 37. Область управления графиком
В левой части области имеется табличка с названием графика. Именно это на-
звание будет отображаться в качестве заголовка в области построения. С помо-
щью «мыши» или стрелок клавиатуры можно перемещаться по уже имеющимся
14 31 
                         Синв          Rинв



                   Сd       Спс        Rпс                  Rs


                                Rоб


                                Соб

                   Рис. 14. Полная эквивалентная схема МДП-структуры

   При других режимах работы МДП-структуры схема будет изменятся (рис. 15).
                                                      Rоб

         Сd        Rs                  Сd                                Rs

                                                     Соб


              a)                                       б)
            Рис. 15. Эквивалентные схемы МДП-структуры при разных режимах:
              а) – обогащения; б) – обеднения и инверсии при ВЧ измерениях
                            (без учета поверхностных состояний)

    В частности, в режиме обогащения никаких емкостей в полупроводнике не
существует, и эквивалентная схема будет состоять из двух элементов: Сd – ем-
кость диэлектрика и Rs – сопротивление полупроводника. В режиме обеднения                                   Рис. 36. Работа с графиками
(без учета поверхностных состояний) эта схема дополняется Соб и Rоб – емкостью
и сопротивлением обедненного слоя полупроводника. Аналогичная схема получа-
ется и в инверсном режиме при высокочастотных измерениях, поскольку заряд
подвижных носителей не успевает изменяться при изменении напряжения изме-
рительного сигнала (как в данной лабораторной работе).

                          Преобразование схем
      Необходимость в преобразовании схем появляется вследствие того, что из-
мерительный прибор может измерить либо последовательно соединенные актив-
ные и реактивные элементы схемы, либо параллельно. В настоящей лабораторной
работе применяется именно параллельная схема (рис. 16). Эквивалентные же схе-                          Рис. 37. Область управления графиком
мы структур являются более сложными, чем измерительная.
                                                                                     В левой части области имеется табличка с названием графика. Именно это на-
                                                                                 звание будет отображаться в качестве заголовка в области построения. С помо-
                                                                                 щью «мыши» или стрелок клавиатуры можно перемещаться по уже имеющимся

                                               14                                                                          31

Страницы