Электроника. Ч.2. Абрамов Е.Е - 5 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

окисленном слое, процессы эпитаксиального наращивания моно- и

поликристаллических пленок кремния, а также локальная диффузия или ионная

имплантация легирующих примесей в полупроводниковую подложку.

На рис. 1 показана структура эпитаксиально-планарного транзистора

ПИМС со скрытым n

слоем.

Рис.1. Структура эпитаксиально-планарного транзистора ПИМС

со скрытым n

слоем

Интегральный биполярный транзистор является важнейшим элементом

большинства ПИМС, так как определяет конструкцию, расположение и

технологию изготовления остальных элементов. В составе схемы, кроме

транзисторов, могут быть диоды, резисторы, конденсаторы. В качестве диодов

используются транзисторы в диодном включении, это экономически выгодно и

технологически удобно. Резисторы используются двух типов - в эмиттерном и

базовом слоях. Как правило, диффузионный резистор создается одновременно с

эмиттером или базой транзистора.

Сопротивление квадрата такого резистора составляет величину порядка

200...300 Ом (R

=200... 300 Ом). В современных ПИМС наиболее широко

используются диффузионные резисторы в виде прямоугольной полоски и в

форме гантели с квадратными концами, в которых сформированы выводы

резистора. Конструкция выводов резисторов представляет собой две

низкоомные квадратные диффузионные области, сильно легированные