Составители:
Рубрика:
6
примесью одного знака с диффузионным резистивным слоем, которые
располагаются с обоих его концов.
Выполнение для выводов специальной дополнительной диффузии
необходимо, чтобы получить омические невыпрямляющие контакты с
коммутационными алюминиевыми проводниками, напыляемыми вакуумным
методом на поверхность полупроводникового кристалла.
Величина сопротивления рассматриваемых диффузионных резисторов
вычисляется по формуле
R = R
□
(l/b + 2K),
где R - сопротивление резистора, Ом; R
ڤ
- сопротивление квадрата резистивной
области, Ом; l - длина диффузионной резистивной области (для
прямоугольного резистора l - расстояние между диффузионными областями
выводных контактов, для резисторов в форме гантели l - расстояние между
квадратными концами гантели); мм; b - ширина диффузионной резистивной
области, определяющей номинал резистора; мм; К - коэффициент,
учитывающий дополнительное сопротивление резистора, обусловленное
конструкцией выводов (для прямоугольного резистора K = 0,07; для резистора в
форме гантели K = 0,65).
Полупроводниковые конденсаторы в полупроводниковых схемах
образуются р-n-переходами. Величина емкости такого конденсатора зависит от
типа электропроводности полупроводникового материала, площади перехода,
характера распределения концентрации примеси, а также от полярности и
величины смещения. Эти конденсаторы создаются одновременно с
диффузионными областями транзистора.
Другим типом конденсаторов являются диффузионные МОП-
конденсаторы, обладающие лучшими характеристиками. Они создаются
непосредственно на полупроводниковой пластине с использованием в качестве
диэлектрика слоя диоксида кремния. Электродами служат диффузионный слой
или подложка с малым удельным сопротивлением и тонкая пленка алюминия.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- …
- следующая ›
- последняя »
