Составители:
Рубрика:
8
и на уровне корпуса
к
к
V
rKml
D
+
+
+
=
, (4)
где V
П
- объем полупроводникового кристалла (толщину кристалла следует
принимать 0,25 мм), мм
3
; V
к
- объем корпуса микросхемы (для корпуса 101 С1-
14 величина V
к
=127 мм
3
, для корпусов 401 МС8-1 и 401 МС12-1 V
к
=325 мм
3
,
для корпуса 301 ПЛ 14-1 V
к
=450 мм
3
).
3. Методика выполнения работы
3.1. Изучить элементы конструкции исследуемой ПИМС и установить
тип корпуса.
3.2. Определить геометрические размеры активных и пассивных
элементов микросхемы, а также выводных контактных площадок.
3.3. Вычертить в масштабе 200: 1 на миллиметровой бумаге эскиз
топологии микросхемы.
3.4. Произвести ориентировочный расчет номиналов резисторов.
3.5. Вычислить коэффициенты, согласно формулам (1), (2), (3) и (4).
3.6. Составить по эскизу топологии принципиальную электрическую
схему, указать ее назначение и привести основные параметры.
Для выполнения работы используются микроскоп типа МБС-10 с
набором объективов и набор ПИМС в корпусах и со снятыми крышками.
4. Содержание отчета
4.1. Описание конструкции исследуемой ПИМС с указанием типа
корпуса.
4.2. Эскиз топологии микросхемы, вычерченный карандашом на
миллиметровой бумаге в масштабе 200 : 1.
4.3. Расчеты коэффициентов по формулам (1), (2),(3) и (4).
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »
