Электроника. Ч.2. Абрамов Е.Е - 9 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

4.4. Рисунок принципиальной схемы с проставленными номиналами

резисторов и описанием основных параметров и назначения исследованной

интегральной схемы.

4.5. Краткие выводы по работе

Литература: [I], с. 50 ... 54; 109 ... 113.

Работа 2. Исследование характеристик и конструкции элементов

гибридных интегральных микросхем

1. Цель работы

Изучение конструкции, характеристик элементов и компоновочных

характеристик тонкопленочных гибридных ИМС (ГИМС).

2. Основные теоретические положения

Основными элементами ГИМС являются: изоляционная подложка, на

которую напыляются пассивные пленочные элементы (резисторы,

конденсаторы, коммутационные соединения и т. д.), навесные

полупроводниковые кристаллы, выполняющие функции активных элементов

(диоды, транзисторы, диодные сборки и т. д.), которые устанавливаются на

подложке, и герметичный корпус, обеспечивающий защиту элементов

микросхемы от воздействия окружающей среды. Подложки, как правило,

выполнены из стекла марок С48-1, С48-3 или ситалла марки СТ 50-1, так как

указанные материалы обладают высокими электрофизическими характери-

стиками.

Тонкопленочные элементы ГИМС изготавливаются путем вакуумного

напыления через систему сменных трафаретов. Например, для получения

пленочного резистора необходимо вначале через один трафарет напылить

резистивный слой, затем через другой - металлический слой с высокой электро-