Составители:
Рубрика:
11
проводящий (верхние обкладки конденсатора). Нижние обкладки, как правило,
напыляются одновременно с контактами пленочных резисторов и коммута-
ционными соединениями в микросхеме. Таким образом, для изготовления
микросхемы, содержащей тонкопленочные конденсаторы и сопротивления,
достаточно последовательно нанести на подложку через разные трафареты
четыре пленки: резистивную, первую проводящую (нижние обкладки конден-
саторов, контакты резисторов, коммутационные соединения), диэлектрическую
и вторую проводящую (верхние обкладки конденсаторов).
Для защиты пленочных элементов от воздействия окружающей среды в
процессе изготовления микросхемы часто напыляют дополнительный слой,
представляющий собой пленку диэлектрика, которая покрывает все элементы
микросхемы за исключением контактных площадок, предназначенных для
установки навесных микродеталей и присоединения выводов от корпуса
микросхемы.
Аналогично резисторам материал и толщина слоев тонкопленочных
конденсаторов в одной микросхеме, как правило, одинаковы. Поэтому отличие
конденсаторов друг от друга по емкости обусловлено только размерами
верхних обкладок
0
СSС
В
⋅
=
;
dС /0885,0
0
ε
⋅
=
,
где С - емкость конденсатора, пФ; S
в
- площадь верхней обкладки, мм
2
; С
о
-
удельная емкость конденсатора в микросхеме, пФ/мм
2
; ε - диэлектрическая
проницаемость пленки диэлектрика;
d - толщина пленки диэлектрика, мм.
Одной из важнейших характеристик ГИМС является коэффициент
заполнения подложки по площади. Он определяется как отношение рабочей
площади элементов к общей площади подложки:
S
SSNSSSS
К
f
ПK
l
A
k
L
m
C
n
R
S
iiiii
∑∑∑∑∑
+⋅++++
=
11111
, (5)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »
