Электроника. Ч.2. Абрамов Е.Е - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

12
где K
S
- коэффициент заполнения подложки по площади;
S
Ri
-
площадь
резистивного i-го элемента, мм
2
; S
Ci
- площадь емкостного i-го элемента, мм
2
;
S - рабочая площадь подложки, мм
2
; S
L
I
- площадь индуктивного i-го элемента;
мм
2
; S
Ai
- площадь поверхности, соприкасающейся с подложкой навесного i-гo
активного элемента, мм
2
; N - число контактных площадок для присоединения
выводов корпуса и навесных микроэлементов; S
к
- площадь одной контактной
площадки (представляет квадрат с размером стороны не менее 500 мкм); мм
2
; f
- число пленочных проводников; S
П
- площадь i-го печатного проводника, мм
2
;
n, m, k, l - соответственно число пленочных резисторов, конденсаторов,
индуктивностей и навесных элементов в микросхеме.
Частные коэффициенты заполнения площади подложки пленочными
резисторами Ks
R
, конденсаторами Ks
C
, индуктивностями Ks
L
, навесными
активными элементами Ks
A
, пленочными проводниками и контактными
площадками Ks
Пк
рассчитываются по формулам
S
S
K
n
R
S
i
R
∑
=
1
;
S
S
K
m
C
S
i
C
∑
=
1
;
S
S
K
k
L
S
i
L
∑
=
1
(6)
S
S
K
l
A
S
i
A
∑
=
1
;
S
NSS
K
f
кП
S
i
Пк
∑
+
=
1
.
Важными компоновочными параметрами являются количество
пленочных, приходящихся на единицу площади подложки:
S
lkmn
F
+
+
+
=
, (7)
и количество навесных активных элементов, приходящихся на единицу
площади подложки
SlF
A
/
=
. (8)

Страницы