Составители:
Рубрика:
14
4.7. Принципиальная электрическая схема ГИМС.
4.8. Эскиз защитного корпуса с подложкой микросхемы с обозначением
номеров выводов, выполненный в масштабе 20: 1 (вид со стороны снятой
крышки).
4.9. Краткие выводы по работе.
Литература: [I], с. 42 ... 50, 113 ... 117.
Работа 3. Исследование работы интегрального биполярного
транзистора в микрорежиме
1. Цель работы
Изучение особенностей работы интегрального биполярного транзистора
(БТ) в микрорежиме в микросхеме 101КТ1 и определение его основных
параметров.
2. Основные теоретические положения
В основе работы биполярных транзисторов лежит инжекция неосновных
носителей, которая сопровождается компенсацией их заряда основными
носителями.
В обычных транзисторных схемах выходной (управляемой) величиной
является либо коллекторный, либо эмиттерный ток, а входной (управляющей) -
ток базы либо ток эмиттера. Связь между выходными и входными токами
характеризуется коэффициентами усиления.
Связь между коллекторным и эмиттерным токами можно
записать как
к
I
э
I
эк
II
⋅
α
=
, (9)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »
