Электроника. Ч.2. Абрамов Е.Е - 16 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

16
;
кэб
hh
W
−
=
L
nб
– диффузионная длина электронов в базе; N
Дэ
(h
э
)
– концентрация донорной
примеси у эмиттерного перехода; N
Дк
- концентрация донорной примеси у
коллекторного перехода. (Обычно h
к
= 1…3 мкм, h
э
= 0,5...2,5 мкм, N
Дэ
(h
э
) =
10
17
…10
18
см
-3
, N
Дк
= 5
.
10
15
... 1
.
10
17
см
-3
).
Диффузионные длины акцепторов и доноров определяются соотношениями
(
)
;ln/
Дк
эДэ
бa
N
hN
WL =
(15)
)(
)0(
ln/
эДэ
Дэ
эД
hN
N
hL =
, (16)
где N
Дэ
(0) - концентрация донорной примеси в эмиттерной области на
поверхности (обычно N
Дэ
(0) = 2
.
10
20
... 1
.
10
21
см
-3
). (Данные величины меняются
в пределах L
пб
, L
pэ
= 2...50 мкм). Значения коэффициента диффузии дырок в
эмиттере, D
pэ
составляют 12,0...31,1 см
2
/с, коэффициента диффузии электронов
в базе, D
nб
34...35 см
2
/с.
Коэффициент инжекции
γ
тем ближе к 1, чем меньше ширина базы и
чем больше разница между граничными концентрациями примесей в
эмиттерных и базовых слоях. Типичными для БТ являются значения γ = 0,08...
0,997. Коэффициент переноса
χ
тем ближе к 1, чем больше диффузионная
длина и чем меньше ширина базы. С увеличением диффузионной длины
ухудшаются частотные свойства транзисторов, поэтому одной из основных
задач усовершенствования биполярных транзисторов является уменьшение
ширины базы.
Важными параметрами БТ являются максимальные обратные
напряжения, которые рассчитываются следующим образом:
,
3
2
0
3
max ок
aП
бДк
кэ
L
WqN
U ψ−
εε
=
(17)

Страницы