Составители:
Рубрика:
17
где U
кэ
max
- обратное напряжение на переходе коллектор-эмиттер, В; ψ
ок
-
контактная разность потенциалов в коллекторном р-n-переходе, В;
(
)
iДкТок
nN /ln2ϕ=ψ
(18)
где
φ
Т
- температурный потенциал, В; φ
Т
= 0,026 В; n
i
- концентрация
носителей в собственном полупроводнике, см
-3
;
;
103
60
4,0
20
max
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
⋅
=
Дк
a
кб
N
L
U
(19)
()
.
/1/1)(
103
60
4,0
20
max
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
+
⋅
=
aДЭДэ
Д
эб
LLhN
L
U
(20)
Инерционность БТ при быстрых изменениях входных токов обусловлена
временем пролета инжектированных носителей через базу t
Пр
, а также
перезарядом барьерных емкостей эмиттерного С
эб
и коллекторного С
кб
переходов:
()
()( )
()
3/1
2
0
/1/1
12
−
⎥
⎥
⎦
⎤
⎢
⎢
⎣
⎡
+⋅ε⋅ε⋅
+ψ
=
aДПэДэ
эбоэ
ээб
LLhNq
U
SС
; (21)
(
)
,ln2
i
эAэ
Тоэ
n
hN
ϕ=ψ
(22)
где q –заряд электрона; ψ
оэ
- контактная разность потенциалов в эмиттере, В; S
э
- площадь эмиттера, см
2
; S
э
=L
э
Z
э
; L
э
- ширина полоски металлизации, мкм, L
э
=
6...10 мкм; Z
a
- длина полоски металлизации, мкм; Z
э
=10... 15 мкм.
()
()
,
12
3/1
2
0
−
⎥
⎥
⎦
⎤
⎢
⎢
⎣
⎡
ε⋅ε⋅⋅
+ψ⋅
=
ПДк
кбокa
бкб
Nq
UL
SС
(23)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 15
- 16
- 17
- 18
- 19
- …
- следующая ›
- последняя »
