Электроника. Ч.2. Абрамов Е.Е - 18 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

18
где S
б
- площадь базы, см
2
; L
б
- ширина полоски металлизации, мкм, = 7...12
мкм; Z
б
- длина полоски металлизации, мкм, Z
б
= 12...20 мкм; q - заряд
носителей, К, q = 1,6 10
-19
Кл;
ε
П
- относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника (ε
П
=
11,7...12); ε
о
- постоянная вакуума, ε
о
= 8,85·10
-14
Ф/см.
Время пролета (время рассасывания) заряда неосновных носителей t
p
, с
рассчитывается по формуле
()
,
3
2
1
/2/2
2
2
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
+⋅
⋅+⋅⋅
⋅⋅
=
б
рк
nбnбркркбnб
бркnб
p
h
L
DLDLhD
hLL
t
(24)
где L
pк
- диффузионная длина дырок в коллекторе, L
рк
= 2... 50 мкм.
Предельная частота БТ, f
Т,
может быть рассчитана как
()
.2/
бanбТ
WLDf
⋅
⋅
π
=
(25)
Состояние поверхности п-р-переходов часто описывают
характеристическим параметром m. Этот параметр очень удобен для оценки
качества эмиттерного перехода, а вместе с тем - уровня собственных шумов,
стабильности и надежности БТ.
(
21
/ln/1
бб
IIт =
)
, (26)
где I
б1
- ток базы при токе коллектора, I
к1
, мА; I
б2
- ток базы при токе
коллектора I
к2
, мА.
При отсутствии рекомбинации на поверхности в объеме
пространственного заряда m=1. При наличии рекомбинационных процессов m=
1...2. В случае канальной проводимости m<4. При наличии широких каналов
m>4. Функциональной характеристикой метода m - параметра для
полупроводниковых приборов является вольт-амперная характеристика (ВАХ),
крутизна которой в любой точке определяется воздействующими факторами
(нагрузкой) и поверхностными дефектами, т. е. информативный параметр m
характеризует крутизну функциональной характеристики.

Страницы