Составители:
Рубрика:
15
где
α
- коэффициент усиления эмиттерного тока. У интегральных
транзисторов он обычно составляет 0,99 ... 0,995. Коэффициент усиления
базового тока
бк
II /=β
(10)
или
)1/(
α
−α
=
β
. (11)
Типичные значения параметра
β
лежат в пределах 100... 150. Он тем
больше, чем ближе коэффициент
α
к единице. С другой стороны,
χ
⋅
γ
=α
(12)
где
γ
- коэффициент инжекции, характеризующий долю полезной электронной
составляющей в общем токе эмиттера (для транзистора типа п-p-n);
χ
-
коэффициент переноса, характеризующий роль инжектированных носителей,
избежавших рекомбинации на пути к коллектору.
Коэффициенты
γ
и χ рассчитываются по формулам
;1
2
nбрэ
рэДa
DL
DLL
−=γ
(13)
()
(
)()
.ln1
2
DкэDэnбб
NhNLW−=χ
(14)
В соотношении (13) и
а
L
Д
L
- диффузионные длины акцепторов и
доноров соответственно; - коэффициент диффузии дырок в эмиттере;
- диффузионная длина дырок в эмиттере; - коэффициент диффузии
электронов в базе.
рэ
D
рэ
L
nб
D
В формуле (14)
б
W
– ширина базовой области, равная разности глубин
залегания коллекторного (
h
к
) и эмиттерного (h
э
) p-n-переходов:
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »
