Микроэлектроника. Абрамов В.Б. - 4 стр.

                                                         РПД МЭ ОПД.Ф.09 - 2005
       Контроль
текущий на занятиях
зачет –8 сем.
сдача экзамена 8 сем.
       4 Цель и задачи дисциплины
       4.1 Целью дисциплины является изучение студентами физических процессов в
твердом теле, определяющих принцип действия, свойства, характеристики и параметры
различных приборов и устройств полупроводниковой электроники в дискретном и
интегральном исполнении.
       4.2 В результате изучения дисциплины студент должен:
       иметь представление (понимать и уметь объяснить) о номенклатуре и основных
эксплуатационных характеристиках серийно выпускаемых полупроводниковых приборов
и интегральных микросхем; об основных проблемах, перспективах и тенденциях развития
элементной базы электронной техники.;
       знать физические принципы работы, физическую структуру, основы технологии
изготовления и принципы построения интегральных микросхем;
       уметь использовать основные свойства и параметры элементов твердотельной
электроники в дискретном и интегральном исполнении;
       иметь навыки (опыт) исследования основных узлов радиоэлектронной аппаратуры в
дискретном и интегральном исполнении, выбора полупроводниковых приборов и
интегральных микросхем для применения в электронной аппаратуре.
       5 Место дисциплины в учебном процессе

      Дисциплина относится к циклу общепрофессиональных дисциплин.
      Изучение данной дисциплины базируется на следующих дисциплинах:
      «Физика твердого тела», «Высшая математика», «Физика», «Теоретические основы
электротехники», «Материалы электронной техники», «Твердотельная электроника».
      Основные положения дисциплины должны быть использованы в дальнейшем при
изучении     дисциплин: «Квантовая и оптическая электроника», «Тонкопленочная
электроника», «Микросхемотехника», «Проектирование и конструирование п/п ИМС».
       6 Сводные данные об основных разделах дисциплины и распределении часов
 по видам занятий
Название раздела                              Количество часов занятий
                                                                                Уровни
                                                    аудиторных
                                                                                изучения
                                      лекцион- практиче- лаборатор- самостоя-
                                      ных      ских      ных        тельных
                                               занятий
1. Введение                              1                               1

2. Интегральные микросхемы. Общие        4         4                     4
сведения.
3. Элементы полупроводниковых ИМС.       12        4          8          18
4. Элементы гибридных ИМС.               6         4          8          18
5. Элементы функциональной               6         2                     6
микроэлектроники
6. Сведения по надежности                4         2                     4
полупроводниковых приборов и
интегральных микросхем.
7. Заключительное занятие                1         1          1