ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
РПД МЭ ОПД.Ф.09 - 2005
7 Лекции
7.1 Разделы и их содержание
7.1.1.Введение ( 1 час ).
Предмет дисциплины и ее задачи. Основные этапы развития
электроники. Задачи и принципы микроэлектроники. Полупроводниковые
приборы как основные функциональные элементы микроэлектроники.
7.1.2. Интегральные микросхемы. Общие сведения (4 часа).
. Основные задачи микроэлектроники. Принцип интеграции. Понятия: интегральная
микросхема (ИМС), элемент и компонент ИМС. Классификация ИМС по конструктивно-
технологическому и функциональному признакам. Полупроводниковые и гибридные,
цифровые и аналоговые ИМС. Основные параметры ИМС.
7.1.3. Элементы полупроводниковых ИМС. (12 часов).
Основы планарной технологии. Сущность группового метода. Процессы
эпитаксии, формирования диэлектрических покрытий, литографии, получение
легированных слоев. Методы изоляции элементов, способы их коммутации. Элементы
биполярных ИМС. Особенности структуры и топологии транзисторов в интегральном
исполнении: эпитаксиально-планарный и изопланарный. Многоэмиттерный и
многоколлекторный транзисторы. Диодное включение транзисторных структур. Резисторы
и конденсаторы биполярных ИМС.
Элементы МДП ИМС. Особенности интегральных МДП транзисторов. Транзисторы
с самосовмещенными затворами. МДП конденсаторы и резистивные элементы. Элементы
МДП СБИС: принцип масштабирования, комплементарные структуры, вертикальные МДП
транзисторы, структуры "кремний на диэлектрике".
Элементы ИМС на основе арсенида галлия. Сравнительная характеристика кремния
и арсенида галлия как материалов микроэлектроники. Разновидности интегральных
транзисторов на арсениде галлия.
Особенности элементов со структурой металл-полупроводник и гетеропереходом.
Элементная база и особенности структуры цифровых БИС и СБИС.
7.1.4. Элементы гибридных ИМС. (6 часа).
Основы пленочной технологии. Методы изготовления пленочных элементов.
Пленочные резисторы, конденсаторы, индуктивные элементы. Стабилизация и подгонка
параметров элементов. Основные типы навесных компонентов, техника их монтажа.
Особенности гибридных БИС. Конструкция многослойных коммутационных плат.
7.1.5. Элементы функциональной микроэлектроники (6 часов)
Задачи и принципы функциональной микроэлектроники. Физическая интеграция.
Основные направления функциональной микроэлектроники. Элементы оптоэлектроники.
Характеристика и особенности оптической связи. Разновидности оптронов, их структура и
основные свойства. Оптоэлектронные ИМС и интегральная оптика. Элементы
магнитооптики. Магнитные эффекты в тонких магнитных пленках. Цилиндрические
магнитные домены. Управление движением ЦМД. Принципы построения запоминающих и
логических элементов на ЦМД. Элементы криоэлектроники. Практическая значимость
явления сверхпроводимости. Туннельные эффекты Джозефсона: принцип действия,
основные свойства, применение. Основы акустоэлектроники. Пьезоэлектрический эффект.
Объемные и поверхностные акустические волны. Пьезорезонаторы. Устройства на
поверхностных акустических волнах: принцип действия, основные свойства, применение.
РПД МЭ ОПД.Ф.09 - 2005
7 Лекции
7.1 Разделы и их содержание
7.1.1.Введение ( 1 час ).
Предмет дисциплины и ее задачи. Основные этапы развития
электроники. Задачи и принципы микроэлектроники. Полупроводниковые
приборы как основные функциональные элементы микроэлектроники.
7.1.2. Интегральные микросхемы. Общие сведения (4 часа).
. Основные задачи микроэлектроники. Принцип интеграции. Понятия: интегральная
микросхема (ИМС), элемент и компонент ИМС. Классификация ИМС по конструктивно-
технологическому и функциональному признакам. Полупроводниковые и гибридные,
цифровые и аналоговые ИМС. Основные параметры ИМС.
7.1.3. Элементы полупроводниковых ИМС. (12 часов).
Основы планарной технологии. Сущность группового метода. Процессы
эпитаксии, формирования диэлектрических покрытий, литографии, получение
легированных слоев. Методы изоляции элементов, способы их коммутации. Элементы
биполярных ИМС. Особенности структуры и топологии транзисторов в интегральном
исполнении: эпитаксиально-планарный и изопланарный. Многоэмиттерный и
многоколлекторный транзисторы. Диодное включение транзисторных структур. Резисторы
и конденсаторы биполярных ИМС.
Элементы МДП ИМС. Особенности интегральных МДП транзисторов. Транзисторы
с самосовмещенными затворами. МДП конденсаторы и резистивные элементы. Элементы
МДП СБИС: принцип масштабирования, комплементарные структуры, вертикальные МДП
транзисторы, структуры "кремний на диэлектрике".
Элементы ИМС на основе арсенида галлия. Сравнительная характеристика кремния
и арсенида галлия как материалов микроэлектроники. Разновидности интегральных
транзисторов на арсениде галлия.
Особенности элементов со структурой металл-полупроводник и гетеропереходом.
Элементная база и особенности структуры цифровых БИС и СБИС.
7.1.4. Элементы гибридных ИМС. (6 часа).
Основы пленочной технологии. Методы изготовления пленочных элементов.
Пленочные резисторы, конденсаторы, индуктивные элементы. Стабилизация и подгонка
параметров элементов. Основные типы навесных компонентов, техника их монтажа.
Особенности гибридных БИС. Конструкция многослойных коммутационных плат.
7.1.5. Элементы функциональной микроэлектроники (6 часов)
Задачи и принципы функциональной микроэлектроники. Физическая интеграция.
Основные направления функциональной микроэлектроники. Элементы оптоэлектроники.
Характеристика и особенности оптической связи. Разновидности оптронов, их структура и
основные свойства. Оптоэлектронные ИМС и интегральная оптика. Элементы
магнитооптики. Магнитные эффекты в тонких магнитных пленках. Цилиндрические
магнитные домены. Управление движением ЦМД. Принципы построения запоминающих и
логических элементов на ЦМД. Элементы криоэлектроники. Практическая значимость
явления сверхпроводимости. Туннельные эффекты Джозефсона: принцип действия,
основные свойства, применение. Основы акустоэлектроники. Пьезоэлектрический эффект.
Объемные и поверхностные акустические волны. Пьезорезонаторы. Устройства на
поверхностных акустических волнах: принцип действия, основные свойства, применение.
