Физические основы микроэлектроники. Адер А.И - 13 стр.

UptoLike

40. Как влияют внешние воздействия (тепловые, механические, радиационные) на протекание физико-
химических процессов, приводящих к деградации материалов и элементов изделий РЭС.
41. Какими механизмами обусловлены процессы старения?
42. Какие процессы в твердых телах приводят к их механическому разрушению?
43. Чем вызываются и к чему приводят электрические и электротепловые разрушения твердых тел?
44.
Назовите основные причины отказов элементов и компонентов РЭС, связанных с воздействием
внешних и внутренних дестабилизирующих факторов.
6. ЗАДАНИЕ НА КОНТРОЛЬНУЮ РАБОТУ
Контрольная работа состоит из трех задач, условия которых приведены
ниже. Конкретный вариант задания выбирается студентом по двум последним
цифрам шифра.
ЗАДАЧА 1
Для плоского конденсатора с зарядом Q, имеющего металлические обкладки
площадью S, расположенные на расстоянии d друг от друга и разделенные слоем ма-
териала
с диэлектрической проницаемостью ε, определить:
емкость;
удельную емкость;
разность потенциалов между обкладками;
напряженность электрического поля в диэлектрике;
энергию, запасенную в конденсаторе;
плотность запасенной в конденсаторе энергии.
У к а за н и я:
1. Исходные данные для конкретных вариантов задачи 1 приведены в
табл.1 и 2.
2. Удельную емкость конденсатора и плотность запасенной
в конденсаторе
энергии определять в расчете на единицу активного объема диэлектрика.
3. При решении задачи целесообразно пользоваться [3] - раздел 1, с.3-20.
Таблица 1
Последняя Материал Диэлектрическая Толщина
13