Физические основы микроэлектроники. Адер А.И - 15 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

ЗАДАЧА 2
Собственная концентрация носителей заряда в полупроводнике при ком-
натной температуре равна n
i
; подвижность электронов - µ
n
; подвижность ды-
рок - µ
p
.
Определить:
• отношение полного тока, протекающего через полупроводник, к току,
обусловленному электронной составляющей, а также к току, обуслов-
ленному дырочной составляющей, в собственном полупроводнике;
• концентрацию электронов и дырок в примесном полупроводнике n-
или p-типа с удельным сопротивлением ρ;
• отношение полного тока, протекающего через полупроводник, к току,
обусловленному электронной составляющей, а также к
току, обуслов-
ленному дырочной составляющей, в примесном полупроводнике n- или
p-типа с удельным сопротивлением ρ.
У к а з а н и я
1. Исходные данные для конкретных вариантов задачи 3 приведены в
табл 3 и 4.
2. При решении задачи целесообразно пользоваться [1] - гл.4 (разделы
4.1 и 4.2), [4] - с.91-126, [5] - гл
.6, с.159-198.
Таблица 3
Предпоследняя цифра шифра
1 и 9 2 и 8 3 и 7 4 и 6 5 0
Полупроводниковый
материал
n-Si p-Si n-Ge p-Ge n-GaAs p-GaAs
µ
n
, м
2
/(В
.
с)
0,14 0,39 0,95
µ
p
, м
2
/(В
.
с)
0,05 0,19 0,045
n
i
, м
-3
1,0
.
10
16
2,5
.
10
19
6,6
.
10
12
Таблица 4
Полупроводниковый материал
n-Si p-Si n-Ge p-Ge n-GaAs p-GaAs
15

Страницы