Составители:
Рубрика:
2. При решении задачи целесообразно пользоваться [2], с.76-138.
3. Плотность обратного тока насыщения определять из формулы для
плотности тока насыщения в диоде с толстой базой.
4. Коэффициенты диффузии D для электронов и дырок следует находить
из соотношения Эйнштейна: D/µ = kT/e,
где µ
- подвижность носителей заряда;
k - постоянная Больцмана;
Т - температура, К;
е - заряд электрона.
5. Напряжение, при котором плотность прямого тока через p-n переход
достигает заданного значения, определять с использованием уравнения вольт-
амперной характеристики диода в области малых токов.
Таблица 5
Предпоследняя цифра шифра
1, 2 и 3 4, 5 и 6 7 и 8 9 и 0
Материал p-n перехода Si Ge GaAs InSb
Параметры материала
µ
n
, м
2
/(В
.
с)
0,14 0,39 0,95 7,8
µ
p
, м
2
/(В
.
с)
0,05 0,19 0,045 0,075
n
i
, м
-3
1,0
.
10
16
2,5
.
10
19
6,6
.
10
12
2,0
.
10
22
L
n
, м 5,0
.
10
-4
1,0
.
10
-3
8,0
.
10
-3
1,0
.
10
-2
L
p
, м 4,0
.
10
-3
9,0
.
10
-4
3,6
.
10
-3
5,0
.
10
-3
Таблица 6
Последняя цифра шифра
γ
1
, Ом
-1
см
-1
γ
2
, Ом
-1
см
-1
j, A/м
2
1 1,0
.
10
0
1,0
.
10
2
1
.
10
3
2 2,0
.
10
1
1,0
.
10
3
5
.
10
3
17
